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金 海 华中科技大学计算机学院 战 大数据不只是数量大 内存计算：新的计算模式 数据缓存在内存中 磁盘I/O是瓶颈 大幅减小I/O操作 内存计算：提升数据处理时效性的重要手段 SPA HANA性能比传统磁盘系统 内存文件系统I/O性能比SSD提升1000多倍 提升408,000倍 •64位CPU能够寻址16EB的数据 内存计算为什么 •DRAM的生产成本每12个月下降32% 现在才涌现？ •市场上可提供TB级的DRAM •支持内存计算的软件逐渐浮现 内存计算：蓬勃发展远胜预期 MaM 2017年预测 Gartner 2013年预测 Gartner 2015年预测 基于DRAM的内存计算模式面临的挑战 n DRAM介质易失性 ¨ 数据需要在内存和持久存储的外存之间交换，“数据I/O”瓶颈仍然没 有完全消除 n DRAM介质存储密度低 ¨ 单个DRAM芯片的集成度已经接近极限，远不能满足大数据对内存容量 TB级甚至PB级的需求 n DRAM功耗高 ¨ 随着内存容量的增大，DRAM 内存功耗占系统总能耗的比例 可高达46% ，静态功耗（刷新 操作）占DRAM总功耗的比例 接近50% n 内存子系统成本高 ¨ 单位存储容量的内存价格高昂 IBM POWER7子系统能耗比例 7 非易失存储技术的兴起 12/8/2017 新型存储介质的性能不断逼近传统DRAM l ITRS （International Technology Roadmap for Semiconductors ：国 际半导体技术蓝图）Projection Intel-Micron 3D XPoint Technology 12/8/2017 Intel Non-Volatile Memory Solutions Intel Non-Volatile Memory Solutions 12/8/2017 新型存储级内存（ SCM ）为内存计算带来曙光 新型存储级内存（ Storage Class Memory ）关键特性 ¨可按字节寻址（可作内存用） ¨持久存储，断电数据不丢失 ¨比NAND flash读写快1000倍，读延迟接近DRAM，写 延迟高1倍 ¨耐久性比NAND flash 高1000倍，但存在 写寿命上限 ¨存储密度比NAND flash高1000倍，比 DRAM高一个数量级 ¨静态功耗接近“零” 13 重构虚拟内存结构：打破I/O瓶颈 14 内存计算：新结构 构建DRAM+SCM的混合层次/并行内存结构 • “内存”：混合异构内存 体系