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耐力股份 可控硅串联逆变中频电炉技术说明书
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耐力股份!
可控硅串联逆变中频电炉
技术说明书
高效节电大功率可控硅串联逆变中频电炉
引言
90年代我国工业飞速发展,大容量、高功率,低能耗的中频电炉越来越被
人们所关注,尤其在铸造领域中,中频电炉能提供高质量的铁水和钢水,便于在
熔化过程中控制温度和化学成份,因此近年大量引进国外制造的大容量可控硅中
频电炉,已达数百台之多,几乎国内上规模的机械制造厂、机床厂、汽车制造厂
的高端技术市场都被国外厂商占有,,目前国内产品比较国外,在控制技术上,按
装工艺上仍有相当差距。
铸造厂的传统熔化设备冲天炉,出铁温度低,铁水在炉中增碳较多,不易生
产出高质量铸铁件,且冲天炉严重污染环境,在城市区域内不容许存在,目前国
内铸造用焦价格猛涨,与中频电炉熔化成本相当。因此大容量中频电炉是铸造厂
节能、高效、清洁环保型熔化设备,所以我们研制,开发大熔量高功率的中频电
炉起点高,技术指标以国外最先进的电炉为目标。串联逆变中频电源具有功率因素
高,我公司生产的中频电源功率因素不低于0.98.高效节能,谐波小。
一、元器件的选择
目前已经研制成功的具有一拖二功能的可控硅中频熔化炉,是高效节电最佳的
熔化设备。
我国电器工业经过多年的发展,目前按装大容量中频电炉元器件己具备相当
条件,大电流耐高压可控硅,高压电热电容己能生产,满足需求。
中频逆变电源的开关元件,目前有二种,可控硅SCR和绝缘栅双极型场效
应晶体管IGBT,根据国外文献所载,大功率,较低频率(1 000Hz)的逆变电源,
选用可控硅的关闭时间要求较低,TOT可以在5 0~60微秒级,这样硅片的厚
度可以厚些,可控硅的耐压便可以提高,且可控硅的价格比IGBT低得多,.而且
工作稳定性和可靠性比IGBT高,我们设计的逆变器选用?KK2500A/2 5 00V可控
硅。目前世界上技术最先进、规模最大的美国应达电炉公司仍采用大功率可控硅
组装。
图1依据功率和频率选择逆变开关元件
IGBT特别适用于频率高,功率较小的变频加热设备,如小容量中频真空熔
炼炉,工件表面淬火和小件透热等。目前国内200A以上的IGBT都需依赖进口,
还受到出口国的限制,最大容量为500A/1 5 0 0V。组装大功率电源时,不得不把
I GBT串联后再多组并联,对用户来说,元件损坏时就得长期依赖于设备制造厂
商供应备件,根据图1我们选用国产大功率可控硅是合理的。
二、串并电路的比较
串并联逆变中频电源相比具有以下优点
1、 可控硅并联线路是并联谐振电路,在熔炼过程中,尤其对熔炼铝、铜等材料,负载很轻,它的功率输出很小,与负载的性质有很大关系,所以其熔化速度慢、升温困难。而可控硅串联中频熔炼炉是通过调频方式调节功率,所以受负载性质的影响相对小,熔炼全过程近乎保持恒功率输出,由于是串联谐振,也就是电压谐振,感应圈电压高,电流小,所以电能损失就小。
2、 由于是串联逆变,功率因素高,谐波小,不需要再上无功补尝装置。这样可以为用户节省不小的一笔开支,也是供电部门大力提倡推广的先进设备。
3、 串联逆变电源工作时,整流始终在全导通状态下工作,改变逆变回路输出功率是靠控制逆变触发脉冲频率来实现。且负载电流为正弦波,所以串联逆变电源不会有高次谐波严重污染电网,且功率因数高。而并联逆变不可能实现一拖二自动调功运行,因为并联逆变电源调功只能靠调节整流桥输出电压来实现,当并联逆变整流桥工作在低电压,整流导通角很小状态下,设备的功率因数将会很低,且并联逆变负载电流为方波,将会严重污染电网。如果靠调节逆变反压角来调功,调功范围是很窄的,因此并联逆变电源是无法实现一拖二运行的。
国内外中频感应电炉主要有二种类型,并联逆变和串联逆变二类,过去由于
我国不能生产高压谐振电热电容和大功率高压可控硅,所以普遍生产并联谐振型
中频炉,现在由于近二年元器件在技术上已有所突破,所以一些电炉制厂商都竞
相争雄开发串联型中频电炉。
并联逆变是电流型谐振(a)振荡回路中的电流I是电源供给电流i的Q倍
Q为回路品质因素,通常可达6以上,因此电流I在谐振回路内很大,负载线圈L
,电容C,以及铜排内发热损耗很大。
串联逆变是电压型谐振(b),回路中的电流与电源供给的电流相等,而在电
容C和负载线圈上的振荡电压为电源电压的Q倍,可高达2 5 00VAC以上。
由于谐振回路电流I等于通过可控硅的电源电流i。所以串联逆变较并联逆变
回路中的电能损耗要小得多,因此串联逆变电炉电效率大大高于并
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