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热平衡
第三章 半导体中载流子的统计分布
激发产生载流子 载流子复合( 电子-空穴对消失)
E
本章重点： cE
D
E
3.1 费米能级和载流子的统计分布 EA A
E
3.2 本征半导体的载流子浓度 v
3.3 杂质半导体的载流子浓度
热平衡时，载流子的产生与复合速度相等，载流子浓度一定。
允许的量子态按 电子在允许的量 3.1 状 态 密 度
子态的分布随温
能量的分布
随温度变化 度变化 状态密度：
表示能带中能量E 附近单位能量间隔
载流子浓度随温度变化 内量子态数：
dZ
g (E )
半导体的导电性能强烈依赖温度 dE
1. k 空间量子态的分布 2. 状态密度
对边长为L 的晶体，波矢取分立的值： 等能面是球面，极值在k=0的导带低附近：
2 2
h k
n
kx ＝ x (nx 0, ±1，±2，⋅⋅⋅⋅) kz E (k ) Ec + * (1) dk
L 2m
n
n
ky ＝ y (ny 0, ±1，±2，⋅⋅⋅⋅) 在E 到E＋dE 球壳
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