半导体压阻薄膜高温应变传感器研究 开题.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 研究内容（测试） Research contents 测试精度： 试验机可给出几百μ ε、多种波形的疲劳载荷 LVDT采集精度1μm相当于10 μ ε 采集仪表Agilent34970A分辨率6?位，3612A提供微小直流恒流 可很好地描述应变片工作性能。 研究内容（优化） Research contents 高温下热输出的补偿方法： 半桥法（适合变温） 串联法（需串联金属不受应变） 掺杂法（Ag掺杂较新，室温效果好） 后期补偿（电路相关，暂不涉及） 研究内容 （优化） Research contents 文献结果：掺Ag45%，室温TCR=0。研究高温下掺杂比例、种类，及对灵敏度、稳定性和其它性能的影响。 1.模拟界面应变传递过程，确定钢箔和连接层的影响，得出减敏规律。 2.优化敏感栅构型。 3.焊点布置 掺Ag对压阻性能影响 模拟与分析 技术路线 Technical Route 半导体薄膜高温应变片 沉积Al2O3连接层 沉积ITO敏感栅 薄膜表征 电、热测试 薄膜表征 电、热测试 长时测试 数据分析 制片安装 动应变测试 数据分析 灵敏度 TCR 介电性能 应变传递 直接沉积 模拟计算 参数调整 掺杂改性 性能改进 可行性分析