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复合型产品群 ROHM最新功率元器件产品阵容
来源于:比特网
前言
半导体制造商ROHM利用多年来在消费电子领域积累的技术优势,正在积极
推进面向工业设备领域的产品阵容扩充。在支撑“节能、创能、蓄能”技术的
半导体功率元器件领域,ROHM实现了具有硅半导体无法得到的突破性特性的碳
化硅半导体(SiC半导体)的量产。另外,在传统的硅半导体功率元器件领域,实
现了从分立式半导体到IC全覆盖的融合了ROHM综合实力的复合型产品群。下面
介绍这些产品中的一部分。
已逐步渗透到生活中的SiC功率元器件
SiC功率元器件是以碳和硅组成的化合物半导体碳化硅(Silicon
carbide)为材料制作的功率半导体,因其所具备的优异性能与先进性,多年来
一直作为“理想的元器件”而备受瞩目。SiC功率元器件现已逐渐成为现代日常
生活中所普遍使用的“身边的”元器件。(图1)
图1. 在生活中使用范围日益扩大的SiC功率元器件
SiC功率元器件的应用案例(含部分开发中的案例):
●“家庭里的SiC” PC电源、太阳能发电功率调节器(家庭用)、空调等
●“工业中的SiC” 数据中心、UPS、工厂搬运机器人、高频感应加热设备
(IH)与高频电源、太阳能发电功率调节器(太阳能发电站等非家庭用)等
●“城镇里的SiC” 电动汽车(车载充电器)、快速充电站、发电机、医疗
诊断设备等
从SiC功率元器件的研究开发到量产,ROHM一直遥遥领先于业界。下面简单
介绍一下SiC功率元器件的产品阵容及其特点。
①SiC肖特基二极管
自2001年世界首次实现SiC肖特基二极管的量产以来已经过去10年多了
,ROHM在2010年成为日本国内第一家实现SiC肖特基二极管量产的制造商。现在
,ROHM正在扩充第2代产品的阵容,与第1代旧产品相比,第2代产品不仅保持了
非常短的反向恢复时间,同时正向电压还降低了0.15V。(图2)
图2. SiC肖特基二极管的顺向电压比较(650V 10A级)
产品阵容包括650V和1200V两种耐压、TO-220绝缘/非绝缘、TO-247和
D2PAK等多种封装的产品。另外,与硅材质的快速恢复二极管(FRD)相比,可大
幅降低反向恢复损耗,因此,在从家电到工业设备等众多领域的高频电路中应
用日益广泛(图3)。ROHM还拥有满足汽车级电子元器件标准AEC-Q101的产品,已
在日本国内及海外众多电动汽车、插入式混合动力车的车载充电电路中得到广
泛应用。
图3.SiC肖特基二极管和硅材质FRD的特性比较(650V 10A级)
②SiC MOSFET
一直以来,与肖特基二极管相比,SiC MOSFET具有本体二极管通电引发特
性劣化(MOSFET的导通电阻、本体二极管的正向电压上升)问题,而其带来的可
靠性问题一直是阻碍量产化的课题。
ROHM通过改善晶体缺陷相关的工艺和元件结构,于2010年12月领先世界实
现了SiC MOSFET的量产。
现在,ROHM正在加速650V及1200V耐压的第2代产品的研发。
与作为耐高压的开关元件被广泛应用的硅材质IGBT相比,SiC MOSFET开关
损耗具有绝对优势,仅为1/5左右,因此,在驱动频率越来越高所要求的设备小
型化(过滤器的小型化、冷却机构的小型化)和电力转换效率的提升等方面效果
显著。(图4)
图4. Si-IGBT和SiC MOSFET的开关损耗比较
③S
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