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第四章 稳定磁场 穿过S的分子分为三类： 不与S相交——A 整个为S所切割，即分子电流与S相交两次——B 被L穿过的分子电流，即与S相交一次——C A与B对S面总电流无贡献 只有C有贡献 在L上取一线元dl,以dl为轴线，a为底 作一圆柱体， 凡是中心处在?V内的分子都为dl所穿过， ?V内共有分子数 N个分子总贡献 体积为?V=adlcos? 穿过L的总磁化电流I为 表明：在磁化介质中，通过任意曲面的磁化电流强度等于磁化强度M沿曲面边界线L的闭合线积分。 应用斯托克斯公式 又因为 在磁介质内，某点磁化电流体密度等于该点磁化强度的旋度 二、 与 的关系 磁介质1 磁介质2 在两种磁介质交界面取闭合回路L，则穿过以L为边界的曲面的磁化电流为 磁化面电流在N方向的分量不为零，则磁化强度的切向分量经过交界面有突变。 与 的关系 若磁介质1的界面外为真空，则 界面切线 由介质1到介质2的法向量 电介质 磁介质 与场相互 作用机制 描 述 比较 转向极化 位移极化 均产生与 反向的附加磁矩 抗磁质：只有 顺磁质：转向 + 附加磁矩 极化强度： 极化电荷： 磁化强度： 抗磁质： 与 反向 顺磁质： 与 同向 磁化电流： 例题 真空中的磁介质球体被均匀磁化，磁化强度M沿z轴。求磁化电流分布。 解： 均匀磁化，M为恒量 返回 一、 第一基本定律——磁场中的高斯定律 激发磁场 激发磁场 磁介质中稳定磁场第一基本定律——磁场中的高斯定理的微分形式和积分形式 表明：稳定磁场中的磁力线是环绕电流无始无终的闭合线，通过任意闭合面的磁通量为零。 二、 第二基本定律——安培环路定律 真空中，设传导电流产生的磁场为B。 即 真空中的安培环路定律的微分形式 应用斯托克斯公式，有 即 穿过S面的传导电流 真空中的安培环路定律的积分形式 磁介质中，设磁化电流为 ，则 令 得 磁场强度 应用斯托克斯公式，有 任意磁介质中稳定磁场第二基本定律——安培环路定律的微分形式和积分形式 微分形式表明：稳定磁场中，某点H的旋度等于该点传导电流体密度，与该点磁化电流体密度无关，与其它地方的传导电流和磁化电流无关。 积分形式表明：H沿环路L的线积分，等于穿过以L为边界的任意曲面的传导电流的代数和。 三、 B、H、M之间的关系 普遍关系： 真空中： 线性、各向同性介质中： 又 磁介质的相对磁导率，顺磁质1，抗磁质1，但都与1接近 对非均匀介质亦成立 返回 一、 B和H的法向交界条件 由 磁感应强度B的法向分量连续 磁场强度H的法向分量不连续 二、 B和H的切向交界条件 磁介质1 磁介质2 穿过abcd面的传导电流为 传导电流在N方向的分量 若界面无传导电流，则 连续 不连续 三、 B和H在界面两侧的偏折 设界面无传导电流，则 若 ，则 ，B经过界面要折离法线； 若 ，则 ，B经过界面要折向法线。 若 为非铁磁质， 为铁磁质，即 ，则 ， 即B1几乎与界面垂直，亦即与铁磁质垂直。 H与B偏折规律相同 电介质 磁介质 介质中 的 场 基本规律 比较 电位移矢量： 介质中的高斯定理： 磁场强度: 介质中的安培环路定理: 电介质 磁介质 其它对应 关 系 求解思路 比较 （1）对称性分析， 选高斯面 （2）由 求 （3）由 求 （1）对称性分析，选安培环路 （2）由 求 （3）由 求 例 长直单芯电缆的芯是一根半径为R 的金属导体，它与外壁之间充满均匀磁介质，电流从芯流过再沿外壁流回。求介质中磁场分布。 方向沿圆的切线方向 解：取如图所示安培回路 返回 一、 磁荷 磁库仑定律 电场 磁场 电荷 正电荷 负电荷 ＋ － 磁荷 正磁荷 负磁荷 N S 同性相斥 异性相吸 同极相斥 异极相吸 假想的 点电荷 点磁荷 库仑定律 磁库仑定律 磁场强度 电场强度 磁场 电场 试验磁荷 形式上有如下对应关系 点磁荷的磁场强度为 二、 磁偶极子的场 静电场中电偶极子的电场强度为 静磁场中磁偶极子的磁场强度为 电偶极矩 磁偶极矩 圆电流的磁感应强度为 真空中的磁场强度为 磁矩 磁偶极矩为 的等量异号磁荷组成的磁偶极子在远处产生的磁场与磁矩为 的小圆电流产生的磁场等效。 三、 H线和B线 小圆电流B线 条形磁铁B线 条形磁铁H线 磁偶极子H线 闭合线无头无尾 起于正磁荷 终于负磁荷 四、 磁极化强度