mos器面纱件可靠性.ppt

MOS器件可靠性 写出威布尔分布的积累分布函数，定性说明形状因子所对应的不同失效区间。画出失效概率密度与t的关系。 根据渗流模型，NBD与应力电压无关 超薄栅氧化层击穿 临界陷阱密度 几个研究小组已经报道了对3－5nm氧化层，随着应力电压下降，NBD会出现下降 可能的原因： 渗流路径与电场弱相关 陷阱存在着缓慢的恢复 Breakdown of Ultra-thin oxide 超薄栅氧化层击穿 寿命预测模型 对恒定电压应力，寿命与QBD 的关系为： J 为应力过程中的电流密度 对薄氧化层，电流在击穿前可近似为恒定值，则有 TBD=QBD/J 为了得到工作条件下的寿命，在给定的期望失效率Fchip，栅面积Aox条件下，Tlife为测试失效率Ftest和对应的失效时间Ttest的函数： ? 为斜率参数或威布尔分布斜率 Breakdown of Ultra-thin oxide 超薄栅氧化层击穿 寿命预测模型 估计介质的可靠性需要从测量条件向工作条件的外推过程。为了保证外推的准确性，通常需要长时间的应力实验，而且应力电压需要尽可能的接近工作电压条件 在外推过程中，通常采用一些简单的关系，如E指数、1/E指数或依赖于Vg的指数关系。但对范围分布很广的应力条件，任何一个简单、统一的关系都不存在。 因此，将寿命外推到工作电压条件下的工作是非常困难，特别是随着氧化层厚度的下