扰动法非线性晶体生长过程数值模拟研究.pdfVIP

http :// 扰动法非线性晶体生长过程数值模拟研究 王 岩 西安理工大学，（710048） E-mail ：wangyanxiangtan@ 摘要：采用扰动法对使用 Cz（Czochralski）法非线性晶体生长过程中提拉速度和熔液平均 温度场进行了数值模拟研究，实验结果可用于实现晶体等径生长中提拉速度和熔液平均温度 的预测控制。研究表明，熔液平均温度（提拉速度）不变时，提拉速度（熔液平均温度）随 环境毕奥数的增加和/或熔液毕奥数的减小而增大。进一步研究，熔液若不会组分过冷，可 以得到提拉速度的最大值，并在整个生长过程中，必须控制提拉速度小于它的临界上限，否 则晶体生长过程将失败。 关键词：晶体生长；扰动法；数值模拟 1. 引言 Si、GaAs 和 InP 单晶是生产微电和光电元器件的典型材料，它们通常是用一种称为“直 拉法晶体生长过程“的方法制备的，直拉法是一种利用籽晶从熔体中提拉出晶体的生长方法， 亦称恰克拉斯基法或提拉法，直拉法示意图如图 1 所示。 直拉法是一种重要的晶体生长技术，用直拉法生长晶体，首先将籽晶浸入相同材料的熔 液中并完全“浸湿“，慢慢地向上提拉籽晶，熔液在籽晶表面将发生凝固，即生长出晶体的 “颈“和“肩“；一旦晶体直径生长到期望值，通过控制提拉速度和加热器功率，可实现晶 体的“等径生长“，工业生产期望生长出的晶体形状近似为圆柱体。在“颈“、“肩“和“等 径生长“过程中，晶体长度不断增长，与周围环境进行能量交换的表面积不断增大，与此同 时，晶体和盛有熔液的坩埚缓慢旋转，使熔液和晶体轴向均匀对称，文献【2】详细介绍了 直拉法晶体生长过程。 直拉法晶体生长过程建模的研究已经持续了四十余年并还在继续【1】，由于生长过程中 晶体与周围环境、熔液与周围环境和晶体—熔液接触面的自由边界和初始条件问题，使得建 立的数学模型十分复杂并难以得到精确解析解。Crowley 【3】,Derby 等人【4】,Kopetsch 【5】 和 Venerus 【6】采用类稳态近似（QSSA ）方法，回避了时变边界条件，建立了直拉法晶体 生长过程模型，并用坐标变换和有限元方法求解得到提拉速度、熔液温度分布等重要的过程 变量。Venerus 【6】的研究中，忽略了固液接触面的物理现象，建立了简化的一维时间相关 模型（TRANS,a simple one-dimensional time- relevant model ）,从而得到晶体长度的变化对过 程动态特性的影响，由于能量守恒方程的非线性对流项和固液接触面时变边界条件，得不到 TRANS 精确解析解，Venerus 用有限元方法求解晶体生长过程 TRANS 并预测晶体温度的分 布、提拉速度和晶体长度变化趋势，但是 Venerus 未讨论熔液温度突变对于晶体生长过程的 http :// 影响。 近年来，扰动法解决边界条件问题引起了广泛注意。Duda 和 Vrentas 【7-8】比较了扰 动法求解二元汽相平面和无穷液相生长，讨论了扰动法的重要性和实用性；Dedcoso 和 Domoto 【9-11】采用扰动法成功的解决了平面和球面几何形状的凝固问题，但在求解球面 内部的凝固问题上遇到困难；Aziz 和 Lunardini 【12】重新讨论了扰动技术在热交换相变中 的应用。本文中，扰动技术拓展应用于相对简单的直拉法晶体生长过程TRANS 数学模型， 应用扰动法确定晶体温度分布、晶体提拉速度和熔液温度变化对于动态生长过程的影响，得 到它们的解析式，再根据边界条件和初始值，直接计算出它们的数值解，相对于其他数值模 拟方法简单了很多，此外本文分析讨论了 Venerus 未曾涉及的提拉速度临界值问题。 2. 系统分析 直拉法晶体生长过程剖面结构图如图 1 所示，为了简化分析，给出以下假设： （1） 通过控制晶体提拉速度 V 和熔液温度Tm 可以实现晶体等径生长；