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第3章 场效应管 3.1 MOS场效应管 3.1 MOS场效应管 图3-1-1 N沟道EMOS管的结构示意图和电路符号 图3-1-2 N沟EMOS管中沟道受VGS、VDS的变化 图3-1-3 VGS一定，ID随VDS变化的特性 图3-1-4 N沟道EMOS管的伏安特性 图3-1-5 原点附近的输出特性曲线族 图3-1-6 MOS管看作压控电流源 图3-1-7 亚阈区转移特性 图3-1-8 栅极保护二极管 图3-1-9 不同VUS对特性曲线的影响 图3-1-10 P沟道EMOS管 图3-1-11 EMOS集成工艺 图3-1-12 DMOS管结构与电路符号 图3-1-13 N沟道DMOS管伏安特性曲线 图3-1-14 MOS管的小信号电路模型 图3-1-15 高频小信号电路模型 图3-1-16 例题1的电路 图3-1-17 例题2的电路 例题 例题1 例题2 3.2 结型场效应管 图3-2-1 N沟道JFET的结构示意图和电路符号 图3-2-2 P沟道JFET的结构示意图和电路符号 图3-2-3 N沟道JFET中当VDS=0时VGS对沟道宽度的影响 图3-2-4 N沟道JFET中VGS一定时VDS对沟道宽度的影响 图3-2-5 N沟道JFET的共源极输出特性曲线簇 图3-2-6 JFET看作压控电流源 3.3 场效应管应用原理 图3-3-1 N沟道EMOS管接成的有源电阻