模电二极管及其基本电路.pptVIP

(5)解释：半导体是温度敏感器件 1. 从物理意义上解释低通电路 2. 稳态分析方法 3. 增益与传递函数 4. 复数的模与相角 1. 如果外接电阻，光照时的电压和电流如何用图解方法求得？ 1. 红外遥控器、数码管 3.4.2 应用举例 2. 限幅电路 例3.4.4 (1) vI＜(Vth+ Vref)=3.5V (2) vI≥(Vth+ Vref)=3.5V 3.4.2 应用举例 3. 整流电路：半波整流 二极管：死区电压= 0 .5V，正向压降≈0.7V(硅D) 理想二极管：死区电压= 0V，正向压降= 0V 3.4.2 应用举例 4. 脉冲电路： ? 光电二极管 ? 发光二极管 3.5.1 稳压二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 光电子器件 ? 激光二极管 3.5.1 稳压二极管 1. 符号及稳压特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 IZ IZmax ?UZ ?IZ U I UZ + 动态电阻： rz越小，稳压性能越好！ 越陡电压越稳定 稳压误差 3.5.1 稳压二极管 2. 主要参数 真加法器（反相） (1) 稳定电压VZ (2) 动态电阻 rZ 在规定的稳压管反向工作电流 IZ下，所对应的反向工作电压。 =?VZ /?IZ (3)最大耗散功率 PZM (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin (5)稳定电压温度系数——?VZ 3.5.1 稳压二极管 3. 稳压特性 真加法器（反相） 正常稳压时 vO =VZ # 稳压条件是什么？ IZmin ≤ IZ ≤ IZmax # 不加 R 可以吗？ # 上述电路VI为正弦波，幅值大于VZ ， VO的波形怎样？ 3.5.3 光电子器件 1. 光电二极管 真加法器（反相） 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 3.5.3 光电子器件 2. 发光二极管LED 当有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前发光管可发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 真加法器（反相） 本章小结 ? 二极管具有单向导电特性，符号D，常作整流元件 ? D有三种模型：理想D、恒压源D、恒压源+电阻D ? 恒压源D：硅D正压降0.7V，反击穿压降随工艺而异 ? 恒压源+电阻D：恒压源D模型+动态电阻 ? 理想D：正向压降0V，反向压降无穷大 ? D动态电阻：偏置点斜率，小信号的电压：电流 ? 稳压D：利用D反向击穿特性稳压，工作电流有要求 ? 光敏D常用于光电型的检测，LED常用于照明 End of §3 ！ 注意：这是动态平衡，PN结内照样存在载流子的漂移和扩散运动，只不过是这两个相反的运动达到平衡而已 PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主 齐纳击穿：当PN结两边的掺杂浓度很高时，阻挡层将变很薄，在这种阻挡层中，载流子与中性原子相碰撞的机会极小，因而不容易发生碰撞（雪崩），但内部电场加强 ... 显然，（强）场致激发能够产出大量的载流子（把共价键的电子拉出来形成电子空穴对），使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象，这种击穿称为齐纳击穿(因齐纳研究而得名）。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下 雪崩击穿：在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴将不断地与晶体原子又发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这样的碰撞的可使共价键中的电子激发形成自由电子空穴对。新产生的电子和空穴也向相反的方向运动，重新获得能量，又可通过碰撞，再产生电子空穴对，这就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，这样，反向电流剧增， PN结就发生雪崩击穿。 * 解释1：当外加电压的时候，空间电荷区（也称为“耗尽层”、势垒区）的宽度发生变化，将会引起其电荷量的变化。从而产生等效的电容效应，即“势垒电容” 。它与PN结面积、耗尽层宽度、半导体介电常数和外加电压都有关系。（势垒：voltage barrier ） 解释2：前面已经讲过，PN结内缺少导电的载流子，其电导率很低，相当于介质；而PN结两侧的P区、N区的电导率高，相当于金属导体。从这一结构来看，PN结等效于一个电容器。事实上，当PN结两端加正向电压时，PN结变窄，结中空间电荷量减少，相当于电容放电，当PN结两端加反向电压时，PN结变宽，结中空间电荷量增多，相当于电容充电。这种现象可以用一个