第五章扫描探针加工技术.pptVIP

一种直接加工的方法，别的依赖于电场或者探针电流 提高扫描速率是一个方法，另外用高灵敏度的抗蚀剂 芯片是半导体元件的统称，是集成电路的载体。 又称蘸笔纳米光刻，利用AFM探针作为蘸水笔，在针尖蘸上特殊墨水，将墨水写到衬底材料表面。 烷酸醇墨水 扫描探针点墨法光刻 (Dip-Pen Nanolithography，DPN) 先将探针在墨水池中蘸上特定墨水 探针移到需要写图形的位置 探针与表面足够近时，由于毛细管作用，墨水自然附着在衬底材料表面 DNP工作原理 墨水与衬底材料有亲和作用 一旦墨水与表面接触，墨水能够通过化学吸附作用在衬底材料表面形成单分子层 最理想的墨水与衬底材料是烷酸醇与金，润湿性比较好 完全不浸润的不可以 DNP工作要求 表面晶粒尺寸：晶粒大吸附性好 表面化学吸附性： 探针驻留时间 环境湿度：越难写出高精密度图形 影响DNP图形分辨率的因素 设备简单，成本低，原子力显微镜即可 使用不同墨水，可以直接形成生化材料图形 可同时实现高分辨率对准和多层点墨，横向分辨率5nm 高分辨率制图，小于15nm的点阵图形可以实现 利用探针阵列可实现平行点墨制图，大大提高制图速度 自1999年提出后，作为一种低成本的纳米加工技术其应用领域不断扩展。 DNP法的优点 5.6 抽减式纳米加工 电化学刻蚀加工 STM,AFM都可与酸碱腐蚀液结合，对沉底材料表面进行扫描腐蚀加工 STM在稀释的氢氟酸中对硅和砷化镓腐蚀加工 STM是金属探针，不适合在液体环境中，用石蜡包裹起来 抽减式纳米加工：电化学刻蚀加工 抽减式加工与添加式相反，通过探针将衬底材料抽减剥离，形成所需加工图形结构 场致分解加工 STM,AFM在使用过程中发现样品表面形成坑或凸起 在针尖强电场作用下，束缚原子的势垒被电场力克服，使原子从表面分解蒸发 场致分解加工研究最多的是石墨和金 抽减式纳米加工：场致分解加工 热力压痕法是一种简单的探针加工方法。针尖加热，可以在低熔点的聚合物材料表面形成压痕。 针尖用脉冲激光加热，加工表面是聚合物PMMA 针尖加热到PMMA软化温度120度以上 压痕尺寸和深度取决于针尖的温度和压力，在10-7N压力下，压痕直径100nm 抽减式纳米加工：热力压痕法加工 聚甲基丙烯酸甲酯，PMMA，俗称有机玻璃 热力压痕法用于高密度数据存储 以聚合物材料作为数据记录介质，二进制“0”，“1”的数据可以由聚合物表面“无压痕”和“有压痕”代表 一般在硅衬底上聚合物薄膜作为记录材料 热力压痕过程是AFM探针在聚合物表面局部加压和针尖加热使聚合物表面软化的结合。 针尖开始要较高的温度使聚合物迅速熔化 抽减式纳米加工：热力压痕法加工 针尖容易磨损，压痕过程中针尖不断接触硬质的硅衬底 改进：在PMMA膜与硅衬底之间加入一层70nm的光刻胶，起到缓冲作用 改进记录介质实现40nm压痕，120nm周期的记录密度，相当于400Gbin-2的数据存储密度 抽减式纳米加工：热力压痕法加工 探针直接在样品表面像犁地一样产生机械化痕，划痕宽度一般几十纳米，深度几纳米 机械划痕法是扫描探针加工方法中分辨率最高的一种方法 抽减式纳米加工：机械划痕法加工 Si3N4探针在GaSb与InAs双层膜上形成的500nm长的划痕 加工分辨率决定于针尖大小和划痕深度 大的针尖也可以通过控制压力和深度得到小的划痕图形 抽减式纳米加工：机械划痕法加工 直径30nm的V型Si3N4探针划成的3nm的图形 应用 扫描探针划痕在自组装单分子膜(SAM)上加工 用AFM探针将硫醇和DNA形成的SAM剥离，暴露出下面的金表面 划痕图案成为掩膜图案。可通过化学腐蚀将图形转移到金表面 也可在液体中进行SAM划痕，AFM探针将SAM膜剥离后，液体中另一种分子在划痕处取代SAM分子 抽减式纳米加工：机械划痕法加工 5.7 高产出率扫描探针加工 扫描探针加工技术尽管有纳米级分辨率，但缺陷是速度慢 普通STM、AFM扫描速率1~10mms-1 提高扫描速率必须提高探针反馈系统的响应速度和探针驱动系统驱动速度 AFM探针工作在恒高度模式，不用随样品高低起伏 扫描速率可提高到1mms-1 集成式压电驱动系统取代压电陶瓷管，提高反馈速度 ZnO压电膜集成到探针悬臂梁上，提高响应频率 AFM的扫描速率可提高到3mms-1 高产出率扫描探针加工 采用高灵敏度的抗蚀剂也可提高探针加工产出率 PMMA 高分辨率，灵敏度低 高灵敏度化学放大抗蚀剂SAL601, 可涂覆液体玻璃(spin on glass, SOG) 高产出率扫描探针加工 进一步提高扫描探针加工产出率：多探针平行加工 高产出率扫描探针加工 Si探针针尖 此芯片在硅片上完成，经过11道光刻工艺和多道刻蚀工艺 多探针平行系统的实现得益于微机电系统技术的发展 I