GaN基蓝光LED关键技术进展.pdfVIP

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·综 述· GaN基蓝光LED关键技术进展 刘一兵1’2 (1.湖南大学 电气与信息工程学院,湖南长沙410082; 2.邵阳职业技术学院机电工程系,湖南邵阳422000) of for Research BlueGaN—BasedLEDs KeyTechnOlogies LIU Yi-bin91’2 (1.Co££egeo,E£ectt-ic口£atldI,I.加r,,In£io’l 410082,C^i,14, Engi,leeri社g,Ht‘,latIUhit圯rsi£y,C^口竹gs^a EZec£,.ic口Z 2.DPpⅡ,t,”P行tD,MPc^口挖if口Z口疗d E挖gi,leeri,zg,S|}l口Dy口挖gP,.D,essio,ln乒丁■c^咒oZogy 422000,C巩i,ln) CDZZPgB,S^口oy口咒g Abstract:Semiconductoron blueGaN-basedLEDs illumi— lightingtechnologyhighbrightness impacts ithas in This nationfield beenfocusthesemiconductorresearchandinvestmentat largely,and present. wasoverviewedthebasic ofGaN-based in paper properties mate“al,analyzedkeytechnologiesmaking blueGaN-based as ohmic and intro— LEDs,such saw,and MoVPE,P-dopingcontact,etchingchipdicing ducedrecent of at At out thatwemust progressestechnologiespresent.last,pointedproblems prospect, andalsodiscussedthefuturetrend. words:GaN;B1ue saw Key LED;MOVPE;P—doping;ohmiccontact;Etching;Dicing 摘要:以高亮度GaN基蓝光LED为核心的半导体照明技术对照明领域带来了很大的冲击,并成为目前全球半导体领域 外延,P型掺杂,欧姆接触,刻蚀工艺,芯片切割技术,介绍了目前各项技术的工艺现状,最后指出了需要改进的问题,展望了末 来的研究方向。 . 关键词:GaN;蓝光LED;金属有机物气相外

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