GaN基蓝光LED关键技术进展.pdfVIP

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2019-01-09 发布于湖北
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GaN基蓝光LED关键技术进展.pdf

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·综述· GaN基蓝光LED关键技术进展刘一兵1’2 (1．湖南大学电气与信息工程学院，湖南长沙410082； 2．邵阳职业技术学院机电工程系，湖南邵阳422000) of for Research BlueGaN—BasedLEDs KeyTechnOlogies LIU Yi-bin91’2 (1．Co￡￡egeo，E￡ectt-ic口￡atldI，I．加r，，In￡io’l 410082，C^i，14， Engi，leeri社g，Ht‘，latIUhit圯rsi￡y，C^口竹gs^a EZec￡，．ic口Z 2．DPpⅡ，t，”P行tD，MPc^口挖if口Z口疗d E挖gi，leeri，zg，S|}l口Dy口挖gP，．D，essio，ln乒丁■c^咒oZogy 422000，C巩i，ln) CDZZPgB，S^口oy口咒g Abstract：Semiconductoron blueGaN-basedLEDs illumi— lightingtechnologyhighbrightness impacts ithas in This nationfield beenfocusthesemiconductorresearchandinvestmentat largely，and present． wasoverviewedthebasic ofGaN-based in paper properties mate“al，analyzedkeytechnologiesmaking blueGaN-based as ohmic and intro— LEDs，such saw，and MoVPE，P-dopingcontact，etchingchipdicing ducedrecent of at At out thatwemust progressestechnologiespresent．last，pointedproblems prospect， andalsodiscussedthefuturetrend． words：GaN；B1ue saw Key LED；MOVPE；P—doping；ohmiccontact；Etching；Dicing 摘要：以高亮度GaN基蓝光LED为核心的半导体照明技术对照明领域带来了很大的冲击，并成为目前全球半导体领域外延，P型掺杂，欧姆接触，刻蚀工艺，芯片切割技术，介绍了目前各项技术的工艺现状，最后指出了需要改进的问题，展望了末来的研究方向。．关键词：GaN；蓝光LED；金属有机物气相外