密度泛函理论研究氧空位对HfO2晶格结构和电学特性影响-物理学报.PDF

密度泛函理论研究氧空位对HfO 晶格结构和电学特性影响 代广珍 蒋先伟 徐太龙 刘琦 陈军宁 代月花 EffectofoxygenvacancyonlatticeandelectronicpropertiesofHfO bymeansofdensityfunctiontheory study DaiGuang-Zhen JiangXian-Wei XuTai-Long LiuQi Chen Jun-Ning Dai Yue-Hua 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,033101(2015) DOI: 10.7498/aps.64.033101 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.033101 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I3 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin Lu 掺杂对CdO 陶瓷电、热输运性能的影响 EffeetofLu -dopingonhigh-temperatureelectricandthermaltransport properties ofCdO 物理学报.2014,63(17): 178102 /10.7498/aps.63.178102 等待点N=82 附近核素-衰变寿命的研究 -decayhalf-livesforwaiting pointnucleiaroundN=82 物理学报.2014,63(16): 162301 /10.7498/aps.63.162301 超新星爆发环境核素 Co 的电子俘获 Electroncaptureofnuclides Coinsupernovaexplosivesurrounding 物理学报.2013,62(7): 072301 /10.7498/aps.62.072301 微锗掺杂直拉单晶硅中的锗-空位复合体 Ge-vacancycomplexesinGe-dopedczochralskisiliconcrystal 物理学报.2012,61(6): 063101 /10.7498/aps.61.063101 物理 学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 3 (2015) 033101 密度泛函理论研究氧空位对HfO 晶格结构和 电学特性影响 代广珍 蒋先伟 徐太龙 刘琦 陈军宁 代月花 1)(安徽工程大学电气工程学院, 安徽省检测及自动化重点实验室, 芜湖 241000) 2) (安徽大学电子信息工程学院, 安徽省集成电路设计重点实验室, 合肥 230601) 3)(中国科学院微电子研究所, 北京 100029) ( 2014 年8 月5 日收到; 2014 年9 月19 日收到修改稿) HfO 因高 值、热稳定性良好和相对Si 导带偏移良好等特点, 作为电荷俘获型存储器栅介质材料得到了 广泛研究. 为了明确高 俘获层提高CTM 电荷俘获效率的原因, 运用基于密度泛函理论的第一性原理计算, 研究了氧空位引起HfO 的晶格变化及其影响计算结果显示优化后氧空位最近邻氧原子间距明显减小, 次近 邻O 与Hf 间距变化稍小. 优化后氧空位明显改变局部晶格, 而对较远晶格影响逐渐减弱, 即引起了局部晶格 变化深能级和导带电子态密度主要是Hf 原子贡献, 而价带则是O 原子贡献. 优化后各元素局部电子态密度和 总电子态密度都明显大于未优化体系, 局部电子态密度之和比总电子态密度小. 优化后俘获电荷主要在氧空 位周围和相邻氧原子上, 而未优化时电荷遍布整个体系. 优化后缺陷