击穿和流注过程的模拟.pdfVIP

高压击穿和流注过程的粒子模拟与VORPAL特性 --初步仿真计算初步仿真计算 上海锦科信息科技有限公司 1. 击穿过程的基本物理 2. 雪崩过程的模拟 3. 发展为流注 4. 实际模拟中的一些问题 Hongyu Wang 基本原理：击穿过程的物理模型 • 高压击穿的物理模型是类似的高压击穿的物理模型是类似的，都是材料在高电压下产生放电通道的过程都是材料在高电压下产生放电通道的过程。 • 击穿过程的核心行为是： – 1:首先由于某种物理机制，例如本底辐射或者场致电子发射，或者其他某 些原因（热电子蒸发，光电离）等等，在局部产生极少量的种子电子 – 2：种子电子在电场作用下获得能量。 – 33：：较高能量的电子通过某种机制激发出次生电子较高能量的电子通过某种机制激发出次生电子，，使得总电子数增加使得总电子数增加。。次次 生电子再从电场获得能量，达到能量阈值后产生更多的次生电子（离子） – 4：随着电子数的雪崩增加，在系统局部产生高密度的电荷区，等离子体自 生电场达到和外场互相竞争的程度生电场达到和外场互相竞争的程度，，电子由电子由一开始的雪崩增长变成稳定地开始的雪崩增长变成稳定地 向前运动（流注），并且不断地分裂和破碎 – 5：流注到达对应极板之后，在极板之间形成一个导电通道，然后电流缓慢 地上升地上升，并由于欧姆效应加热通道并由于欧姆效应加热通道，最后形成最后形成一个电弧个电弧 • 1-3称为雪崩段，4为流注段，5为电弧段 Hongyu Wang Why Particle-In-Cell? • 雪崩段决定了击穿能否发生 – 互相竞争的几个物理参数决定了极少数的种子电子能否自发增长到 导通所需密度 – 电子能量增益电子能量增益：：决定于局部电场分布和电子的运动轨道决定于局部电场分布和电子的运动轨道 – 电子能量损失：决定于电子和背景气体的碰撞及电子的分布函数 – 电子数量的损失：泄漏到极板上或者真空 – 电子数量的增益：决定于电子的碰撞过程或者电子从极板的蒸发 – 因此，雪崩段的可靠模拟必须使用粒子模拟方法 • 流注段原则上可以用流体模拟流注段原则上可以用流体模拟，但较细致和精确的研究需要使用粒子但较细致和精确的研究需要使用粒子 方法 – 流注中存在大量的非麦克斯韦分布电子，甚至存在Kev-Mev级的逃 逸电子 – 流注中存在一些非局域输运过程（由快速电子或者光子驱动的流注 演化演化）） Hongyu Wang Why VORPAL? • 任何对击穿和流注进行的模拟，都要仔细考虑碰撞过程，至少包括弹 性性、激发和电离过程激发和电离过程，因此所用的因此所用的PPartiticlle-IIn-CCellll模拟软件必须包括模拟软件必须包括 碰撞模拟行 • 在雪崩和流注发展过程中，等离子体密度变化跨越七个数量级以上， 因此软件必须具有控制粒子数增长的手段，否则在雪崩段的模拟很快 就会失败 •• 击穿过程对局部电场位形很敏感击穿过程对局部电场位形很敏感，此外还存在大量三维行为此外还存在大量三维行为，因此需因此需 要极大的计算量，通常都需要并行模拟。 Hongyu Wang 雪崩段的模拟:电场位形 • 在雪崩段的模拟中，首先需要考虑的是局部电场构型。通常对于直流或 者射频击穿者射频击穿，使用静电模型使用静电模型 （（忽略辐射场和自生磁场忽略辐射场和自生磁场））。对于微波段击对于微波段击 穿，使用全电磁模型。 • 静电模型在原理上较简单，但模拟实现比较复杂。 • 需要设置的主要内容：导体几何，介电部分，边界条件 • 静电边界条件是一个open 问题。 • 我们考虑我们考虑一个基本的针个基本的针-板结构板结构：针头位于模拟区域左侧针头位于模拟区域左侧，右侧为阳极右侧为阳极 极板 Hongyu Wang 电场的模拟设置