半导体器件物理2分解.ppt

第二章 P-N结 引言 PN结是几乎所有半导体器件的基本单元。除金属－半导体接触器件外，所有结型器件都有PN结构成。PN结本身也是一种器件－整流器。PN结含有丰富的物理知识，掌握PN结的物理原理是学习其它半导体器件器件物理的基础。正因为如此， PN结一章在半导体器件物理课的64学时的教学中占有16学时，为总学时的四分之一。 由P型半导体和N型半导体实现冶金学接触（原子级接触）所形成的结构叫做PN结。 任何两种物质（绝缘体除外）的冶金学接触都称为结（junction）,有时也叫做接触（contact）. 引言 由同种物质构成的结叫做同质结（如硅），由不同种物质构成的结叫做异质结（如硅和锗）。由同种导电类型的物质构成的结叫做同型结（如P-硅和P-型硅、P-硅和P-型锗），由不同种导电类型的物质构成的结叫做异型结（如P-硅和N-硅、P-硅和N－锗）。因此PN结有同型同质结、同型异质结、异型同质结和异型异质结之分。广义地说，金属和半导体接触也是异质结，不过为了意义更明确，把它们叫做金属－半导体接触或金属－半导体结（M-S结）。 引言 70年代以来，制备结的主要技术是硅平面工艺。硅平面工艺包括以下主要的工艺技术： 1950年美国人奥尔（R.Ohl）和肖克莱(Shockley)发明的离子注入工艺。 1956年美国人富勒（C.S.Fuller）发明的扩散工艺。 1960年卢尔（H.H.Loor）和克里斯坦森(Christenson)发明的外延工艺。 1970年斯皮勒（E.Spiller）和卡斯特兰尼(E.Castellani)发明的光刻工艺。正是光刻工艺的出现才使硅器件制造技术进入平面工艺技术时代，才有大规模集成电路和微电子学飞速发展的今天。 上述工艺和真空镀膜技术，氧化技术加上测试，封装工艺等构成了硅平面工艺的主体。 引言 采用硅平面工艺制备PN结的主要工艺过程 引言 引言 引言 2.1 热平衡PN结 2.1 热平衡PN结 2.1 热平衡PN结 2.1 热平衡PN结 2.1 热平衡PN结 小结 名词、术语和基本概念： PN结、突变结、线性缓变结、单边突变结、空间电荷区、 耗尽近似、中性区、内建电场、内建电势差、势垒。 分别采用费米能级和载流子漂移与扩散的观点解释了PN结空间电荷区（SCR）的形成 。 介绍了热平衡PN 结的能带图（图2.3a、b）及其画法。 利用中性区电中性条件导出了空间电荷区内建电势差公式: 2.1热平衡PN结 小结 解Poisson方程求解了PN结SCR内建电场、内建电势、内建电势差和耗尽层宽度： 2.1热平衡PN结 教学要求 2.2 加偏压的 P-N 结 2.2 加偏压的 P-N 结 2.2.1加偏压的结的能带图 2.2 加偏压的 P-N 结 2.2.1加偏压的结的能带图 2.2 加偏压的 P-N 结 注入P+-N结的N侧的空穴及其所造成的电子分布 2.2 加偏压的 P-N 结 耗尽层宽度随外加反偏压变化的实验结果与计算结果 2.2 加偏压的 P-N 结 小结 名词、术语和基本概念： 正向注入、反向抽取、扩散近似、扩散区 介绍了加偏压PN结能带图及其画法 根据能带图和修正欧姆定律分析了结的单向导电性： 正偏压V使得PN结N型中性区的费米能级相对于P型中性区的升高qV。在P型中性区 ＝ 。在空间电荷区由于n、pni，可以认为费米能级不变即等于 。在N型中性区 ＝ 。同样，在空间电荷区 = ，于是从空间电荷区两侧开始分别有一个费米能级从 逐渐升高到 和从 逐渐下降到 的区域。这就是P侧的电子扩散区和N侧的空穴扩散区（以上分析就是画能带图的根据）。 2.2 加偏压的 P-N 结 小结 2.2 加偏压的 P-N 结 小结 根据载流子扩散与漂移的观点分析了结的单向导电性： 正偏压使空间电荷区内建电势差由 下降到 -V打破了PN结的热平衡，使载流子的扩散运动占优势即造成少子的正向注入且电流很大。反偏压使空间电荷区内建电势差由 上升到 +V同样打破了PN结的热平衡，使载流子的漂移运动占优势这种漂移是N区少子空穴向P区和P区少子电子向N区的漂移，因此电流是反向的且很小。 在反偏压下，耗尽层宽度为 2.2 加