半导体器件知识分解.ppt

2．电流分配关系 三个电极上的电流关系: IE =IC+IB 定义： (1)IC与I E之间的关系: 其值的大小约为0.9～0.99。 IE ≈IC (2)IC与I B之间的关系： 得： 令： 三. BJT的特性曲线（共发射极接法） (1) 输入特性曲线 iB=f(uBE)? uCE=const （1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。 （3）uCE ≥1V再增加时，曲线右移很不明显。 （2）当uCE=1V时， 集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复合减少， 在同一uBE 电压下，iB 减小。特性曲线将向右稍微移动一些。 死区电压 硅 0.5V 锗 0.1V 导通压降 硅 0.7V 锗 0.3V (2)输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const 现以iB=60uA一条加以说明。 （1）当uCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。 （2） uCE ↑ → Ic ↑ 。 （3） 当uCE ＞1V后，收集电子的能力足够强。这时，发射到基区的电子都被集电极收集，形成iC。所以uCE再增加，iC基本保持不变。 同理，可作出iB=其他值的曲线。 输出特性曲线可以分为三个区域: 饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE＜0.7 V。 此时发射结正偏，集电结也正偏。 截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 此时，发射结反偏，集电结反偏。 放大区—— 曲线基本平行等 距。 此时，发 射结正偏，集电 结反偏。 该区中有： 饱和区 放大区 截止区 1.4 三极管的模型及分析方法 i C I B I B =0 u CE (V) (mA) =20uA B I =40uA B I =60uA B I =80uA B I =100uA 非线性器件 UD=0.7V UCES=0.3V iB≈0 iC≈0 一. BJT的模型 + + + + i - u BE + - u B CE + C i b e e c 截止状态 e c b 放大状态 UD βIB IC IB e c b 发射结导通压降UD 硅管0.7V 锗管0.3V 饱和状态 e c b UD UCES 饱和压降UCES 硅管0.3V 锗管0.1V 直流模型 半导体三极管的型号 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 3DG110B 1.5 场效应管 BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 FET分类： 绝缘栅场效应管 MOS管 结型场效应管 JFET 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 * 1.5.2 绝缘栅场效应管: 一、结构和电路符号 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型 分为： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 半导体器件基础 1.1 半导体的基本知识 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管 1.4 BJT模型 1.5 场效应管 1.1 半导体的基本知识 在物理学中，根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 硅原子 锗原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 本征半导体的共价键结构 束缚电子 在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被