十章半导体的光质.pptVIP

第十章 半导体的光学性质 10.1 半导体的光学常数 §10.2 半导体的光吸收 §10.3 半导体的光电导 10.1 半导体的光学常数 一、折射率和吸收系数 复数折射率： 其中n是通常的折射率 k则是表征光能衰减的参量，称为消光系数 10.1 半导体的光学常数 10.1 半导体的光学常数 10.1 半导体的光学常数 §10.2 半导体的光吸收 一、本征吸收 二、直接跃迁和间接跃迁 三、激子吸收 四、自由载流子的吸收 五、杂质吸收 §10.2 半导体的光吸收 当一定波长的光照射半导体时，若 则价带电子吸收光子跃迁到导带。这种电子由带与带之间的跃迁所形成的吸收过程，称为本征吸收。 本征吸收发生的条件： §10.2 半导体的光吸收 即：光子的频率下限 当 才能发生本征吸收 光子的波长上限 当 才能发生本征吸收 例如：Si Eg=1.12eV λ0=1.1μm GaAs Eg=1.43eV λ0=0.867μm CdS Eg=2.42eV λ0=0.513μm 二、直接跃迁和间接跃迁 1、直接跃迁 电子与光子的相互作用过程中，满足： 能量守恒： 动量守恒： §10.2 半导体的光吸收 本征吸收为一连续的吸收带 2.间接跃迁 既有电子与光子的相互作用，同时还有电子和声子的相互作用，其发生的概率比直接跃迁发生的概率小 能量守恒： 动量守恒： §10.2 半导体的光吸收 Ep代表声子能量， 代表声子的波矢，“+”表示吸收声子，“-”表示发射声子。 理论分析得到： 时，吸收声子和发射声子的跃迁均可发生 §10.2 半导体的光吸收 时， 只能发生吸收声子的过程 当 时，跃迁不能发生，α=0 §10.2 半导体的光吸收 间接吸收：α：1～103/cm, 直接吸收： α：104～106/cm 研究半导体的本征光吸收，不仅可以获得Eg还有助于了解能带的复杂结构，也可以作为区分直接带隙和间接带隙半导体的重要依据。 三. 激子的吸收 激子：半导体中相互束缚而结合在一起的一对电子-空穴对，这一系统称为激子。激子在晶体中某一部位产生后，并不停留在该处，可以在整个晶体中运动。但由于它作为一个整体是电中性的，因此不形成电流。激子是一对束缚的电子-空穴对，类似于氢原子。 §10.2 半导体的光吸收 激子形成一系列的能级 §10.2 半导体的光吸收 激子吸收：光子能量hvEg时，价带电子受激发后虽然跃出了价带，但还不足以进入导带而形成自由电子，仍然受到空穴的库仑场作用，受激的电子-空穴形成束缚在一起的激子。 激子可以在半导体中运动，但不形成电流。激子在运动过程中可以通过两种途径消失，一种通过热激发成为自由的电子-空穴，另一种电子-空穴复合。 四.自由载流子的吸收 自由载流子在同一带内的跃迁所引起的，称为自由载流子的吸收。满足： 能量守恒： 动量守恒： §10.2 半导体的光吸收 同时伴随有声子的吸收和发射过程。 在P区半导体中，价带有三个带，可观察到三条吸收谱线，吸收谱线的精细结构研究半导体有重要意义，是确定价带具有重叠结构的重要依据。 五.杂质吸收 束缚在杂质能级上的电子、空穴也能引起光的吸收。 束缚态的电子不具有准动量。 §10.3 半导体的光电导 半导体被光照射之后，产生非平衡过剩载流子，载流子浓度增加使半导体电导率增大。 由光照引起半导体电导率增加的现象称为光电导。 一.附加电导率 无光照（暗电导）： 光照后：产生非平衡载流子 §10.3 半导体的光电导 附加光电导 §10.3 半导体的光电导 利用半导体材料的电阻率（电导率）随光照不同而改变的现象制成的电阻叫光敏电阻。 大，对光敏感，灵敏度高， no,po小，高阻材料制成，低温下使用。 实践证明，有一些半导体材料中，光生少数过剩载流子被陷阱俘获，只有过剩多子对附加光电导有贡献。 §10.3 半导体的光电导 如：p型CdO2中本征光电导主要是空穴的贡