第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应..ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 1.加厚场氧化层厚度 （采用等平面工艺，减小表面台阶） 2.采用场区注入与衬底同型的杂质，提高衬底表面浓度 3.控制有源区间距 提高场开启电压的方法： 为了防止场区寄生MOS管的导通必须提高场开启电压。 * * 在MOS集成电路中有两种类型的寄生双极型晶体管 （1）以正常的MOS管的源、漏和衬底为E、C、B的寄生三极管。 （2）由场区MOS管的源、漏和衬底为E、C、B的寄生三极管。 2.11.2 寄生双极晶体管 P-sub n n n n N-sub p p p p 2.11 MOS 集成电路中的有源寄生效应 * * 寄生双极晶体管 n+ p substrate n+ L n+ p substrate n+ L 防止措施：1.增大寄生晶体管“基区宽度” 2.P型衬底接地或负电位 * * （1）P衬底接最低电位 N衬底接最高电位 （2）使MOS管源漏区与衬底形成的 二极管不处于正偏状态 . 消除寄生双极晶体管影响的措施： 2.11.3 寄生可控硅—闩锁效应(寄生PNPN效应） 在CMOS电路中，寄生的双极型晶体管可能会产生非常严重的后果。在P阱CMOS中，会形成PNPN可控硅结构。 PNPN效