基于ISMC65nm锁存型灵敏放大器失调电压的建模-电子与通信工程专业论文.docxVIP

独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的 独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的 研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其 他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得安徽大学或其他教育机构的 学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已 在论文中作了明确的说明并表示谢意。 学位论文作者签名：缺弥i匙 签字日期：硎厂年／月 ，日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解安徽大学有关保留、使用学位论文的规定，有权 保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借 阅。本人授权安徽大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检 索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后适用本授权书) 学位论文作者签名：俄致嫒 导师签名： 签字日期： 扫扩年‘月夕日 签字日期： 《触斋牌 哪多 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 ㈣㈣蚴删㈣舳 Y280掌芝百§” SRAM的结构由存储单元阵列和外围电路两大部分组成，其中存储单元阵列 是SRAM的核心部分，其结构相对固定，一般由工艺水平所决定，所以就主要 通过对外围电路的改进来提高SRAM的性能。SRAM外围电路包括：行／列地址 译码器(decode)，灵敏放大器(SA，Sense Amplifier)，控制电路(Control Circuit)， 缓冲／驱动电路(FFIO)等[1】。其中灵敏放大器的作用是将位线上的微弱信号转 化为满足要求的输出信号，灵敏放大器的性能优劣对SRAM的性能影响重大，从 而关系到半导体存储器的整体性能，而失调电压是灵敏放大器的性能指标中最重 要的参数。随着微电子工艺的不断进步，半导体器件的工艺参数如尺寸、位线上 的负载电容和阈值电压的不匹配可能会造成输入信号被灵敏放大器错误的放大， 所以预测其失调电压已是在设计灵敏放大器时的关键步骤。 本文对比与分析了几种不同类型的灵敏放大器的基本结构并通过仿真比较 了他们的优缺点，最后选定锁存型灵敏放大器作为本论文研究失调电压的基础。 接着分析了锁存型灵敏放大器电路失配的原因，并对失调可能产生的结果进行分 析，提出一种新的失调电压的模型。该模型根据基尔霍夫电流定律得出锁存型灵 敏放大器就器件的阈值电压失配、跨导失配和负载电容失配引起的失调电压的计 算公式。最后将Cadence仿真结果分别与模型计算结果进行比较，得出该模型可 以很好的模拟锁存型灵敏放大器的失调电压。 关键词：灵敏放大器；失调电压：失配；模型 万方数据 AbstractAbstract Abstract Abstract SRAM structure is composed of the storage cell array and the peripheral circuit in which the storage unit is the core part of the SRAM array．Its strllctIlre is relatively fixed，generally determined by the technological level，SO it is through improvements on the peripheral circuit that is to improve the performance of the SRAM．SRAM peripheral circuit includes：row／column address decoder(Decode)，the sense Amplifier(SA，Sense Amplifier)，the control circuit(Control Circuit)，the buffer／drive circuit(FFIO)，etc．Among those parts，the performance of sense amplifier whose function is that the weak signal of bit line can be converted to the output signal which meets the requirements．The performance of sense amplifier has a significant influence on the performance of the SRAM，thereby has greatly influence on the overall performance of the semi