第12章 半导体器件01资料.ppt

第12章 半导体器件 12.1 半导体的基础知识 12.2 半导体二极管 12.4 双极型晶体管 12.1 半导体的基础知识 按导电能力分类：导体，半导体和绝缘体 制造半导体的主要材料：硅（si）和锗（Ge）(化学中的四价元素) 二极管图片 二极管图片 二极管图片 1、二极管导通条件及特点 条件：外加正向电压(正向特性) 2、二极管的截止条件及特点 截止条件： 死区电压： 硅：0.5V 锗：0.1V 相当于二极管断开。 12.2.2 伏安特性 12.2.2 伏安特性 正向特性：反映二极管外加正向电压时电流和电压的关系 反向特性：反映二极管外加反向电压时电流和电压的关系 近似处理：如果电源电压和二极管导通电压相差不多时，正向电压不可忽略，则伏安特性是二极管的电压小于其导通时的正向电压，二极管截止，电流等于0；而二极管导通后，则正向电压恒等于Ud.。 理想化处理 当电源电压远大于二极管导通电压时，则可以看成是理想的二极管，加正向电压时导通，正向电压降和正向电阻为0，相当于短路，加反向电压时，二极管截止，二极管相当于开路。 应用举例 钳位电路分析 限幅电路分析 单相桥式整流电路 限幅电路 组成逻辑门电路 单相桥式整流电路 全波整流电路 12.4 双极型晶体管 基本结构 工作状态 特性曲线 主要参数 12.4.1 基本结构 12.4.2 工作状态 放大状态 饱和状态 截止状态 1) 放大状态 表1-1 三极管电流测试数据 1) 放大状态 结论： 1、 2、 3、 微小的变化，会引起 较大的变化。 1) 放大状态 称为直流（静态）电流放大系数 称为交流（动态）电流放大系数 1) 放大状态 放大状态的特征 a）Ib微小的变化会引起Ic较大的变化 b）Ic=beta*Ib,Ic由beta和Ib决定的 c）晶体管相当于通路 d）0UceUcc,Uce=Ucc-Rc*Ic 2) 截止状态 条件： 分析：be之间相当于一个二极管 当be0.5v时，T截止 此时， 2) 截止状态 特征： a）基极电流＝0 b）Ic=0 c）Uce=Ucc d）相当于开路 3) 饱和状态 饱和的特征 a）Ib增加时，Ic基本不变 b）Ic=Ucc/Rc c）Uce＝0 d）晶体管相当于短路 12.4.3 特性曲线 输入特性曲线 输出特性曲线 1.输入特性曲线 2.输出特性曲线 本章结束 例1-1 ui=10sinwt (v) E=5v R=1k欧姆 忽略二极管的 正向压降和 反向电流 画出uo的波形 （1） ui E 时，二极管反向截止， uo = ui; （2） ui E 时，二极管正向导通， uo = E; 仿真电路图 波形图 例 判断二极管的 工作状态。 判断方法： 正向偏置VAVB；导通； 反向偏置VAVB；截止； 解题方法： 断开二极管2AP1， 求VA和VB VA = 15 ×（10/（10+140））=1V； VB = -10×（2/（18+2）） + 15×（5 /（25+5））=1.5V； VAVB，所以，二极管2AP1截止； 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 返回 半导体三极管的结构示意图如图03.1.01所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 三极管的三种组态: 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 晶体管的三种组态 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 mA IE 4.05 3.18 2.36 1.54 0.72 0.001 3.95 3.10 2.30 1.50 0.70 0.001 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 0 * Home 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体