西工大实验反相器(下) 技术参数数据报告.docxVIP

实验二 反相器(下) 2.3 分析如下电路 上面的电路用两种方式实现了反相器。左图只使用了NMOS，右图则使用了CMOS（NMOS和PMOS）。ΦF=-0.3V。试完成： 仿真得到两个电路的VTC图形。 CMOS的VTC仿真图像 SP文件： .TITLE CMOS INVERTER .options probe .options tnom=25 .options ingold=2 limpts=30000 method=gear .options lvltim=2 imax=20 gmindc=1.0e-12 .protect .libC:\synopsys\cmos25_level49.lib TT .unprotect .global vdd Mn out in 0 0 NMOS W=.375u L=0.25u Mp out in vdd vdd PMOS W=.75u L=0.25u VDD vdd 0 2.5V VIN in 0 0 .DC VIN 0 2.5V 0.1V .probe dc v(out) .end NMOS的VTC仿真图像 SP文件： .TITLE 3.2 CMOS INVERTER .options probe .options tnom=25 .options ingold=2 limpts=30000 method=gear .options lvltim=2 imax=20 gmindc=1.0e-12 .protect .libC:\synopsys\cmos25_level49.lib TT .unprotect .global vdd M2 out vdd vdd 0 NMOS W=.375u L=0.25u M1 out in 0 0 NMOS W=.75u L=0.25u VDD vdd 0 2.5V VIN in 0 0 .DC VIN 0 2.5V 0.1V .probe dc v(out) .end 计算两种电路的VOH，VOL及VM。可参考波形确定管子的工作状态。 nmos: 当Vin=2.5V时，N管导通 阀值电压公式： 又 解得： 当Vin=0V时，N管截止，Vout==2.5V 当时，由于，M1工作在饱和区 此时流过M1（速度饱和）的电流为： （1） 流过M2的电流为（速度饱和） (2) （3） 联立方程解得 =1.08V 对于CMOS器件: 当Vin=0时， 当Vin=2.5时， 当时，由于，NMOS与PMOS工作在饱和区 由于，（ =1.14V 哪一种结构的反相器的功能性更好，为什么？(噪声容限，再生性，过渡区增益) CMOS NMOS CMOS反相器更好。因为CMOS反相器的输出特性曲线的过渡区更窄，噪声容限更大。 2.4 分析下面的buffer电路 单位反相器的输入电容为10fF，为了驱动一个20pF的电容，在单位反相器（尺寸系数为1）后面新加了两级反相器如上图所示。单位反相器的本征延迟是70ps。如果输入栅电容和反相器尺寸成正比，试确定所加入反相器的尺寸（给出尺寸系数），要求使传播延迟最小。并计算出该最小延迟。 代入数据，解得f=12.6 代入数据，解得=3807.779 pS 如果可以自由选择反相器链的级数来减小延迟，那么你会选择插入几级反相器？这个时候的传播延迟是多少？ 最小延迟对级数求导，可得 代入数据 N = 6， 解得： =1910.8054 pS 比较1和2两种方法改善延迟性能的优缺点。 方法1的延迟大，但需要的反相器级数少，电路面积较小；方法2的延迟小，但需要的反相器级数多，电路面积较大。 附：进行手工计算时可能用到的数据