电力电你子技上术试题.docVIP

学院 姓名 学号 任课老师 考场教室__________选课号/座位号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 第 PAGE 1 页 共 8 页 电子科技大学2012 -2013 学年 第 2 学期期 末 考试 A 卷 课程名称： 电力电子技术 考试形式： 开卷 考试日期： 20 年 月 日 考试时长：____分钟 课程成绩构成：平时 10 %， 期中 -- %， 实验 20 %， 期末 70 % 本试卷试题由__7___部分构成，共__8__页。 题号 一 二 三 四 五 六 七 合计 得分 得 分 得 分 一、简述题：5题（共20分，共 5题，每题4分） 1、与信息电子电路的MOSFET相比，解释电力MOSFET能够耐受高电压和大电流能力的结构特点？ 答： 1）电力MOSFET大都采用垂直导电结构（2分），这大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 2）与信息电子电路的MOSFET相比，电力MOSFET多了一个N-漂移区（低掺杂N区）（2分），这是用来承受高电压。 2、整流电流逆变产生的条件是什么？如何防止逆变失败？ 答：整流电流逆变产生的条件： 1）要有直流电动势，其极性须和晶