材料合成技术和方法试卷总题.doc

院系 专业 年级 班 姓名： 学号 ……………………………装………………………订……………………线…………………………………… PAGE 座号 五年制中心第 PAGE 3 页 共 NUMPAGES 4 页 五年制中心 南阳师范学院 2016-2017学年第二学期化学与制药工程学院2014级 材料化学专业《材料合成技术与方法》课程期终考试试卷（B） 题号 一 二 三 四 五 六 七 总分 得分 得 分 一. 单项选择题（在每小题的备选答案中选出一个正确答案，并将正确答案的代码填在题干上的括号内。每小题1.5分，共30分） 评卷人 1.关于在熔体中形核下列说法中错误的是（ ）。 (A) 形核时体积自由能的下降不能抵消表面能的增加； (B) 过冷度越大，形核越容易； (C) 形核还收到扩散速率的影响； (D) 非均匀形核比均匀形核容易。 在晶粒长大过程中，正常发生的现象有①大的吞并小的②小的吞并大的③边凹的吞并边凸的④边凸的吞并边凹的⑤边数多的吞并边数少的⑥边数少的吞并边数多的（ ） (A) ①③⑤ (B) ②④⑥ (C) ①③⑥ (D) ②③⑤ 2.下列关于Walff定理说法正确的是（ ）。 (A) 液体的平衡形状是随意的； (B) 晶面界面能越低，在表面所占比例越小； (C) 晶面生长速度越快，表面中该晶面比例越大； (D) 晶面生长速度越快，表面中该晶面比例越小。 2.在熔体中制备单晶，下列说法错误的是（ ）。 (A) 一般需要引入籽晶； (B) 晶核附近熔体的温度需要低于凝固点； (C) 界面前方需要都处于过冷状态； (D) 生长着的晶体要处于较冷的环境之中。 3.对于直拉法生长晶体，下列中方法不常被用来作为控制晶体直径的方法是（ ）。 (A) 控制生长温度 (B) 调节热损耗 (C) 控制提拉速率 (D) 控制晶体生长速率 4.对于定向凝固法，下列哪种设备不是通常所需要的？（ ）。 (A) 特定结构的坩埚 (B) 等温炉体 (C) 程序控温设备 (D) 坩埚传动设备 5.下列关于非晶态说法中错误的是（ ）。 (A) 短程有序 (B) 亚稳态 (C) XRD衍射呈馒头峰 (D) 配位数与晶态完全不同 6.下列关于非晶态材料特性不正确的是（ ）。 (A) 高强度、高韧性 (B) 抗腐蚀性 (C) 硬磁特性 (D) 超导电性 7.下列因素中不利于非晶态形成的是（ ）。 (A) 引入杂质 (B) 熔点附近液体粘度增大 (C) 快速冷却 (D) 形成固溶体 下列材料中最容易形成非晶的（ ） (A) Al (B) Au (C) Sn-Pb (D) Ni-Cr-B-Si 8.气相直接凝聚法最适合制备非晶态的形态是（ ）。 (A) 块体 (B) 薄膜 (C) 纤维 (D) 颗粒 9.下列不属于液体极冷法制备非晶态所需的条件的是（ ）。 (A) 导热性良好的基板 (B) 液体与基板较差的接触 (C) 液体层非常薄 (D) 液体与基本接触到凝固时间短 10.下列制备非晶态材料的方法中冷却速度最快的是（ ）。 (A) 粒子注入 (B) 磁悬浮熔炼 (C) 静电悬浮熔炼 (D) 落管技术 11.下列哪个压力是真空蒸镀所需要的压力（ ）。 (A) 105 Pa (B) 102 Pa (C) 10-1 Pa (D) 10-4 Pa 12.在真空蒸镀制备薄膜过程中，下列加热方式可能会引入杂质的是（ ）。 (A) 电阻加热 (B) 电子束加热 (C) 高频感应加热 (D) 激光加热 13.低压放电时发生的电离过程中没有的是（ ）。 (A) 正离子电离 (B) 负离子电离 (C) 电子电离 (D) 二次电子电离 14.在影响溅射率的因素中起决定性作用的是（ ）。 (A) 入射粒子能量 (B) 入射角 (C) 靶材 (D) 表面晶体结构 15.下列溅射设备中可以制备绝缘体的是（ ）。 (A) 直流溅射 (B) 高频溅射 (C) 磁控溅射 (D) 反应溅射 15.下列溅射设备中可以提高溅射速度的是（ ）。 (A) 直流溅射 (B) 高频溅射 (C) 磁控溅射 (D) 反应溅射 15.下列设备中溅射主要不是起镀膜作用的是（ ）。 (A)