第二章磁性材料..ppt

小资料：RKKY相互作用的特点 磁振子（自旋波） 声子（晶格波） 小资料：磁光(M-O)存储原理 巨磁阻現象及其在自旋閥之應用 磁性随机存储器（ MRAM） 磁性随机存储器：?Magnetic?Random?Access?Memory 是一种非挥发性的磁性随机存储器。 “非挥发性”，指关掉电源后，仍可以保持记忆完整，功能与?FLASH雷同。 ?“随机存取”，指中央处理器读取资料时，不一定要从头开始，随时可用相同的速率，从内存的任何部位读写信息。 。?MRAM运作的基本原理与硬盘相同。数据以磁性为依据，存储为0或1。存储的数据具有永久性，直到被外界的磁场影响之后，才会改变这个磁性数据。 速度一般都为25至100ns。 拥有静态随机存储器（Static?Random?Access?Memory）的高速，和动态随机存储器（Dynamic?Random?Access?Memory）的高集成度。而且可以无限次地重复写入。 什么是磁性随机存储器 典型的MRAM单元由一个晶体管和一个磁性隧道结(MTJ)组成。 磁性隧道结包括一个固定方向的磁化层和一个自由磁层，两个层面由隧道栅相互隔离。MRAM利用电子的自旋特性，通过改变自由层的磁化方向所产生的磁阻变化来记录0或1，从而写入数据。 迄今为止，大多数的MRAM开发都是基于磁场的数据写入技术，即通过加入磁场来改变自由层的磁化方向。这种方法写入速度很快。 什么是磁性随机存储器 目前全球對於MRAM的研發投入都以國家級的力量支持： 美國以國防部的DARPA（Defense Advanced Research Projects Agency）計畫支持，目前包括IBM、Infineon及Motorola是進度最快的公司，且宣稱2004年將推出256Mbits/in2或512Mbits/in2級的產品。 韓國也是以國家型的Tera-level nanodevices計畫支持，Samsung是當中動作最積極的公司，預計2005~2006年之間可 推出產品。 日本也有國家型計畫支持，計畫成員公司包括Sony、Toshiba及NEC等，且宣稱2004年可以推出MRAM的成品。 磁性随机存储器的发展前景 MRAM若能進一步低成本、高密度，占领市场將輕而易舉。 NEC/東芝在1Kbit MRAM中導入了磁束集中結構 Bit线垂直于 word线 MRAM的寫入機制是利用上下兩層XY軸向的導 電金屬層，中間夾著穿隧式磁電阻(TMR)或是巨磁電阻(GMR)的記憶元(cell) 若將上下兩層導線均通以電流，則可視為記憶單元(cell)置於相互垂直的磁場中(HX , HY)。 若要在其中一個記憶元(cell)寫入資料，例如第 I 行第 J列，則將電流通過第 I 行的word線，加的電流只比臨界值(Threshold Value)要低一點(電流如果大于临界值，則會使word線上的自由層通通翻轉)，此時再加上一小電流到第 J 列的bit線就會使的此記憶元的自由層磁化方向翻轉。 當X或Y 軸其中一軸的電流加到一臨界值時，另一軸只要加一小電流值就可使自由層磁化方向翻轉。 MRAM的寫入機制 通过“自由層磁化方向翻轉”与否记录“0”或“1”。 一電流通過單位記憶元 1）當兩鐵磁性層的磁化方向為順向排列時，因磁阻低，故Vout較低； 2）兩鐵磁性層的磁化方向為反向排列時，磁阻較高，所以Vout較高。 根據Vout的高低狀態的不同便能判斷單位記憶元所儲存的資料為”1”或”0”。 MRAM的讀取機制 MRAM 核心技術的發展現状 MRAM 的核心技術主要包括： (1)高MR 比值的磁性材料結構 (2)降低位元尺寸 (3)讀寫的架構及方法 目前國際報導TMR 薄膜以金屬鐵磁層/絕緣層/金屬鐵磁層為主要結構，其中金屬鐵磁層部分可由Fe,Co,Ni 等作適當之調配而成。而絶緣層部分大多使用氧化鋁，雖然文獻中之磁阻達到40%~70%，但仍有一些問題，其中最嚴重的有2 項： 一）電流的非線性效應，也就是MR值與偏壓的大小有關，雖然理想的MR比率可達~70%，但改變電壓可能減小MR值。 二）一个更嚴重的問題，則是TMR 薄膜的電阻太大(~1K?)，因此電流很小。為了要減少電阻值，最直接的辦法則是將絶緣層做薄。然而目前發現當絕緣層降至~7埃時,有嚴重的短路現象發生，因此電阻降低則受到限制，造成TMR材料的最大困難。 (一)磁性材料層的結構 (二) 降低位元尺寸 縮小每單一記憶元橫向尺度及記憶元間距是提高容量密度的唯一方式，此部份目前多利用電子束微影術、反覆對準製作、及使用電漿耦合乾式離子蝕刻 之回蝕刻技術，來達到製作奈米尺度之記憶元陣。 結構設計部分，將包括橫向形狀及多層膜層狀結構，以達到低電流讀寫及記憶元穩定的要求