量子阱层和垒层具有不同Al组分.PDFVIP

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2019-01-12 发布于湖北
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量子阱层和垒层具有不同Al组分.PDF

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第３８卷　第１期发　光　学　报Ｖｏｌ３８Ｎｏ１２０１７年１月ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥＪａｎ. ꎬ２０１７文章编号:１０００￣７０３２(２０１７)０１￣００５７￣０６量子阱层和垒层具有不同Ａｌ组分的２７０/ ２９０/ ３３０ｎｍＡｌＧａＮ基深紫外ＬＥＤ光电性能１∗ ２王福学 ꎬ叶煊超 (１. 无锡职业技术学院汽车与交通学院ꎬ江苏无锡　２１４１２１ꎻ　２. 江南大学理学院ꎬ江苏无锡　２１４１２２) 摘要:为了研究ＡｌＧａＮ量子阱层和垒层中Ａｌ组分不同对ＡｌＧａＮ基深紫外发光二极管(ＬＥＤ)光电性能的影响ꎬ本文利用ＭＯＣＶＤ生长、光刻和干法刻蚀工艺制备了ＡｌＧａＮ量子阱层和垒层具有不同Ａｌ组分的２７０/ ２９０/ ３３０ｎｍ深紫外ＬＥＤꎬ通过实验和数值模拟计算方法发现ꎬ量子阱层和垒层中具有低Ａｌ组分紫外ＬＥＤ的Ａｌ￣ＧａＮ材料具有较低的位错密度、较高的光输出功率和外量子效率ꎮ 通过电流￣电压(Ｉ￣Ｖ)曲线拟合出的较大的理想因子(３.５)和能带结构图表明ꎬＡｌＧａＮ深紫外ＬＥＤ的电流产生是隧穿机制占据主导作用ꎬ这是因为高Ａｌ组分ＡｌＧａＮ量子阱中强极化场造成了有源层区域较大的能带弯曲和电势降ꎮ 关　键　词:ＡｌＧａＮꎻ深紫外ꎻ发光二极管ꎻ数值模拟中图分类号:ＴＮ３０４.２３　　　文献标识码:Ａ　　　ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ００５７２７０/ ２９０/ ３３０ｎｍＡｌＧａＮ￣ｂａｓｅｄＤｅｅｐＵｌｔｒａｖｉｏｌｅｔＬｉｇｈｔ￣ｅｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅｓｗｉｔｈＤｉｆｆｅｒｅｎｔＡｌＣｏｎｔｅｎｔｉｎＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌｓａｎｄＢａｒｒｉｅｒｓ１∗ ２ＷＡＮＧＦｕ￣ｘｕｅ ꎬＹＥＸｕａｎ￣ｃｈａｏ (１. ＳｃｈｏｏｏｆＡｕｔｏｍｏｂｉｌｅａｎｄＴｒａｎｓｐｏｒｔａｔｉｏｎꎬＷｕｘｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＷｕｘｉ２１４１２１ꎬＣｈｉｎａꎻ ２. ＳｃｈｏｏｌｏｆＳｃｉｅｎｃｅꎬＪｉａｎｇｎａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＷｕｘｉ２１４１２２ꎬＣｈｉｎａ) ∗ＣｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍａｉｌ:ｗａｎｇｆｕｘｕｅ２００８＠１６３.ｃｏｍＡｂｓｔｒａｃｔ:Ｔｈｅｏｐｔｉｃａｌａｎｄｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆ２７０/ ２９０/ ３３０ｎｍＡｌＧａＮ￣ｂａｓｅｄｄｅｅｐｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ (ＵＶ)ｌｉｇｈｔ￣ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅｓ (ＬＥＤｓ)ｗｉｔｈｄｉｆｆｅｒｅｎｔＡｌｃｏｎｔｅｎｔｉｎｑｕａｎｔｕｍｗｅｌｌｓａｎｄｂａｒｒｉｅｒｓｗｅｒｅｉｎ￣ｖｅｓｔｉｇａｔｅｄｓｙｓｔｅｍａｔｉｃａｌｌｙ. ＢａｓｅｄｏｎｔｈｅｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌａｎｄｎｕｍｅｒｉｃａｌｓｔｕｄｙꎬＩｔｉｓｏｂｓｅｒｖｅｄｔｈａｔｔｈｅＵＶＬＥＤｓｗｉｔｈｌｏｎｇｅｒｗａｖｅｌｅｎｇｔｈａｎｄｌｏｗｅｒＡｌｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎＡｌＧａＮｍｕｌｔｉｐｌｅｑｕａｎｔｕｍｗｅｌｌｓ (ＭＱＷｓ) ｐｏｓｓｅｓｓｌｅｓｓｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎｄｅｎｓｉｔｙꎬｈｉｇｈｅｒｌｉｇｈｔｏｕｔｐｕｔｐｏｗｅｒａｎｄｉｎｔｅｒｎａｌｑｕａｎｔｕｍｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ. Ｔｈｅｌａｒｇｅｉｄｅａｌｉｔｙｆａｃｔ