第三章_光生伏特器件..pptVIP

1、硅光电二极管（三极管）变换电路参数计算 八、光生伏特器件的偏置电路 （1）图解计算法 400lx 600lx 800lx 1000lx U（V） 0 20 40 60 -10 -20 -30 光电二极管伏安特性曲线 1、硅光电二极管（三极管）变换电路参数计算 八、光生伏特器件的偏置电路 （1）图解计算法 在如图所示的反向偏压下硅光电二极管的基本输入电路中，流过负载电阻的电流为： 由于制造光电管的半导体材料一般都采用高阻轻掺杂，因此暗电流很小，可以忽略不计 即输出电流与输入光照度（或光通量）成正比。 1、硅光电二极管（三极管）变换电路参数计算 八、光生伏特器件的偏置电路 （1）图解计算法 列回路方程： 其中 是硅光电二极管两端电压，是非线性函数，可利用图解法进行计算 或 1、硅光电二极管（三极管）变换电路参数计算 八、光生伏特器件的偏置电路 （1）图解计算法 在伏安特性曲线上画出负载线，得到 当 时， 为负载线与横坐标轴的交点 当 时， 为负载线与纵坐标轴的交点 直线的斜率 ， 越大，直线越平坦； 越小，直线越陡。 U（V） 0 1、硅光电二极管（三极管）变换电路参数计算 八、光生伏特器件的偏置电路 （1）图解计算法 当输入光照度为 在伏安特性曲线上可以找到对应该照度的曲线，该曲线与负载线的交点为Q，即为输入电路的静态工作点。 U（V） 0 当输入光照度由 改变 时，在负载 上会产生 的电压信号输出和 的电流信号输出。 Q 1、硅光电二极管（三极管）变换电路参数计算 八、光生伏特器件的偏置电路 （1）图解计算法 U（V） 0 反向偏置电路输出信号电压与入射辐射量的变化成正比，变化方向相反，即输出电压随入射辐射量增加而减小 Q 1、硅光电二极管（三极管）变换电路参数计算 八、光生伏特器件的偏置电路 U（V） 0 Q （2）用图解法分析电路参数 和 对输出信号的影响 当 不变时，对于输入光照度变化 ，负载电阻 的减小会增大输出信号电流 ，但输出信号电压 反而减小；当 减小很多时，又会受到器件允许的最大工作电流和功耗的限制。 当 不变时 1、硅光电二极管（三极管）变换电路参数计算 八、光生伏特器件的偏置电路 U（V） 0 Q （2）用图解法分析电路参数 和 对输出信号的影响 要提高输出信号电压，应增大 ，但过大的 会使负载线越过特性曲线的拐点进入非线性区，由于非线性区的光电灵敏度不再是常数，使输出信号的波形发生畸变。 当 不变时 1、硅光电二极管（三极管）变换电路参数计算 八、光生伏特器件的偏置电路 U（V） 0 （2）用图解法分析电路参数 和 对输出信号的影响 当偏置电压增大时，输出信号的电压幅度也随之增大，同时线性度得到相应改善，但电路的功耗随之加大。过大的偏压会引起硅光电二极管反向击穿。 当 不变时 （3）反向偏置电路的计算 例3-2 已知某光电三极管的伏安特性曲线如图所示。当入射光通量为正弦调制量φv,λ=55 +40sinωt lm时，今要得到5V的输出电压，试设计该光电三极管的变换电路，并画出输入输出的波形图，分析输入与输出信号间的相位关系。 解 :首先根据题目的要求，找到入射光通量的最大值与最小值 φmax=55+40=95 lm φmin=55－40=15 lm 在特性曲线中画出光通量的变化波形，补充必要的特性曲线。 （3）反向偏置电路的计算 例3-2 已知某光电三极管的伏安特性曲线如图所示。当入射光通量为正弦调制量φv,λ=55 +40sinωt lm时，今要得到5V的输出电压，试设计该光电三极管的变换电路，并画出输入输出的波形图，分析输入与输出信号间的相位关系。 由要得到5V的输出电压，则集电极电压变化峰峰值为 Uce≈14V A 拐点电压UA≈3V 输出电压的最大值为UD≈17V D B Q 负载线与横轴的交点为电源电压Ubb≈20V （3）反向偏置电路的计算 例3-2 已知某光电三极管的伏安特性曲线如图所示。当入射光通量为正弦调制量φv,λ=55 +40sinωt lm时，今要得到5V的输出电压，试设计该光电三极管的变换电路，并画出输入输出的波形图，分析输入与输出信号间的相位关系。 得到RL=5kΩ A 最后画出输入光信号与输出电压的波形图，从图中可以看出输出信号与输入信号为反向关系。 D B Q 负载线与纵轴的交点为 1、硅光电二极管（三极管）变换电路参数计算 八、光生伏特器件的偏置电路 （4）光电器件与集成运算放大器的连接 ①电流放大型 - + 硅光电二极管和运算