基于PZT的高可靠铁电存储器关键技术研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

STUDIES ON KEY TECHNOLOGIES OF HIGH RELIABLE FERROELECTRIC MEMORY BASED ON PZT FERROELECTRIC FILM A Doctor Dissertation Submitted to University of Electronic Science and Technology of China Major: Microelectronics and Solid-State Electronics Author: Ya Hong Zhai Advisor: Prof. Ping Li School: School of Microelectronics and Solid-State Electronics 摘要 摘 要 铁电存储器是将铁电薄膜与传统的硅基半导体集成的新一代可擦写随机存储 器，具有非易失、低功耗、高速读写、长寿命和抗辐照等优点，被认为是下一代 最具前途的主流存储器之一。目前，我国对铁电存储器的需求十分迫切，而铁电 存储器的研制是一个高投入的领域，涉及到材料学、微电子学以及辐射加固等交 叉学科，目前我国在铁电存储器的研制方面仍处于基础研究阶段，尚有大量的关 键性问题亟待突破与解决。本文围绕