第二章 半导体及其本征特征..pptVIP

Recap: 主要知识点和阅读章节 1、半导体材料基本特性 2、pn结 3、双极晶体管 4、场效应管 阅读教材第二章 阅读康华光《电子技术基础-模拟部分（第五版）》第1、2、3、4、5章. 参考教材： [1] 童诗白,华成英(著).模拟电子技术基础(第四版)[M].北京:高等教育出版社,2006. [2] 康华光(著).电子技术基础:模拟部分(第五版))[M].北京:高等教育出版社,2010. 第一讲 半导体物理基础 2.1 半导体及其基本性质 2.2 半导体中的载流子 2.3 半导体的电导率（电阻率的倒数）和载流子输运 一、本征半导体 2、本征半导体的结构 3、本征半导体中的两种载流子 二、杂质半导体 1. N型半导体 2. P型半导体 重 点 半导体、N型半导体、P型半导体、本征半导体、非本征半导体 载流子、电子、空穴、平衡载流子、非平衡载流子、过剩载流子 能带、导带、价带、禁带 掺杂、施主、受主 输运、漂移、扩散、产生、复合 作 业 载流子的输运有哪些模式，对这些输运模式进行简单的描述 设计一个实验：首先将一块本征半导体变成N型半导体，然后再设法使它变成P型半导体。 9. 载流子的输运 漂移电流 迁移率? 电阻率? 单位电场作用下载流子获得平均速度 反映了载流子在电场作用下输运能力 载流子的漂移运动：载流子在电场作用下的运动 引 入 迁 移 率 的 概 念 影 响 迁 移 率 的 因 素 影响迁移率的因素： 有效质量 平均弛豫时间（散射〕 体现在：温度和 掺杂浓度 半导体中载流子的散射机制： 晶格散射（ 热 运 动 引 起） 电离杂质散射 扩散电流 电子扩散电流： 空穴扩散电流： 爱因斯坦关系: 载流子的扩散运动：载流子在化学势作用下运动 过剩载流子的扩散和复合 过剩载流子的复合机制： 直接复合、间接复合、 表面复合、俄歇复合 过剩载流子的扩散过程 扩散长度Ln和Lp: L=(D?)1/2 描述半导体器件工作的基本方程 泊松方程 高斯定律 描述半导体中静电势的变化规律 静电势由本征费米能级Ei的变化决定 能带向下弯， 静电势增加 方程的形式1 方程的形式2 电荷密度 ?(x) 可动的 －载流子（n,p) 固定的 －电离的施主、受主 特例： 均匀Si中，无外加偏压时， 方程RHS＝0， 静电势为常数 电流连续方程 可动载流子的守恒 热平衡时： 产生率＝复合率 np=ni2 电子： 空穴 电流密度方程 载流子的输运方程 在漂移－扩散模型中 扩散项 漂移项 方程形式1 爱因斯坦关系 波耳兹曼关系 方程形式2 电子和空穴的准费米势： 费米势 第二章 半导体物理和器件物理基础 固体材料： 超导体: 大于106 (?cm)-1 导 体: 106~104 (?cm)-1 半导体: 104~10-10 (?cm)-1 绝缘体: 小于10-10 (?cm)-1 ？什么是半导体 从导电特性和机制来分： 不同电阻特性 不同输运机制 1. 半导体的结构 原子结合形式：共价键 形成的晶体结构： 构 成 一 个正四 面体， 具 有 金 刚 石 晶 体 结 构 半导体的结合和晶体结构 金刚石结构 半导体有元素半导体，如：Si、Ge 化合物半导体，如：GaAs、InSb、GaP、InP 2. 半导体中的载流子：能够导电的自由粒子 本征半导体：n=p=ni 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 1、什么是半导体？什么是本征半导体？ 导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。 半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 无杂质 稳定的结构 由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子 自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴 自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。 共价键 一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。 动态平衡 两种载流子 外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。 为什么要将半