第四章 场效应管放大电路..pptVIP

模拟电子技术 主讲教师：张立权 第四章 场效应管放大电路 作业：5.3.1 、5.3.3、5.3.5 直流通道： 注意：栅极电流Ig≈0 其中，Kn为电导常数。 静态参数有栅源电压、漏极电 流以及漏源电压。 MOS管工作区域判别： 若计算出的VGSVT，说明工作在截止区。 若计算出的VDS(VGS-VT)，说明工作在饱和区。 若计算出的VDS(VGS-VT)，说明工作在可变电阻区 例1：电路如图，各参数为： ，计算静态工作点，并 说明管子工作状态。 解： 因VGD=0VVT，所以处于饱和状态。 2.2 动态分析(低频小信号模型) 场效应管输出特性表达式： 输出电阻rds很大 场效应管的小信号等效电路 例2：电路如图，计算静态工作点和动态参数。参数如下 解：(1) 估算静态工作点 设VGVGS，则VG?VS，而IG=0V 则有： 注意：漏极和源极电流相等。 (2) 动态参数计算 电压放大倍数 输入电压 输出电压 电压放大倍数为 输入、输出电阻 输入电阻 输出电阻 信号源置零，则电压控制电流源也为零。共射电路为 倒相电路。 2.3 源极跟随器 共漏极电路 例2：电路如图，计算静态工作点和动态参数。参数如下 解：(1) 估算静态工作点 设VGVGS，则VG?VS，而IG=0V 则有： (2) 动态参数计算 电压放大倍数 输入电压 输出电压 电压放大倍数为 输入电阻 输入电阻 输出电阻 输出电阻 第三节 结型场效应管 3.1 N沟道结型场效应管 结构及电路符号 箭头方向表示栅结正偏时，栅极电流的方向由P指向N P沟道结型场效应管结构和符号 箭头方向表示栅结正偏时，栅极电流的方向由P指向N N沟道JFET工作原理 栅源电压VGS的控制作用 VDS=0，栅源间加负电压 PN结反偏，|VGS|越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄，电阻增大。 |VGS||VP|时 |VGS|增至一定值(夹断电压VP)，两耗尽层合拢，导电沟道夹断。此时即使VDS ? 0V，漏极电流ID=0A VGS控制作用小结： 改变VGS的大小 ，可控制导电沟道电阻的大小，对 于固定的VDS，VGS的增加使漏极电流ID减小。 结型场效应管由于没有绝缘层，只能工作在反偏 的条件下，否则会出现栅流。即输入电阻较大。 漏源电压VDS的控制作用 VGS=0，漏源间加正电压 由于存在电位梯度，越靠近漏端，PN结反偏电压越大，耗尽层越宽。 VDS控制作用小结： 增加VDS的大小 ，一方面可增加漏极电流ID，另一 方面由于导电沟道变窄，电阻增大，又使漏极电流 ID减小。但是在预夹断前，可近似认为沟道电阻基 本上决定于VGS，即ID随VDS线性增加。 VDS对沟道的影响是不均匀的，使沟道呈楔形。 VGS0，漏源间加正电压 |VGS||VP|时 随着VDS增加，ID线性增大。当VDS增加至使VGD=VGS-VDS=VP时，靠近漏端的沟道被预夹断。 |VGS||VP|时 随着VDS继续增加，夹断区向下延伸。增加的VDS主要降落在夹断区上，因此，ID基本恒定。 N沟道JFET特性曲线 在漏源电压vDS一定的条件下，栅源电压vGS对漏极电 流iD的控制特性。 转移特性曲线 转移特性曲线可由输出 特性曲线获得。 其中， IDSS为饱和漏极电流。 输出特性曲线 在栅源电压vGS一定的情况下，漏极电流iD与漏源电压 vDS之间的关系。 P沟道JFET特性曲线 转移特性曲线 N沟道转移特性曲线 P沟道转移特性曲线 2007-12-1 1 2 3 金属-氧化物-半导体场效应管 MOSFET放大电路 结型场效应管 引 言 优点： 输入阻抗高、热稳定性好、噪声低、抗辐射能力强 及省电等。 BJT FET 电流控制电流的器件 两种载流子参与导电属于双极型器件 利用电场效应来控制电流的器件 一种载流子参与导电属于单极型器件 分类： 场效应管 JFET MOSFET N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 第一节 金属-氧化物-半导体场效应管 1.1 N沟道增强型MOSFET 结构及电路符号 衬底 衬底 SiO2绝缘层 金属Al 箭头方向表示由P指向N N沟道增强型 衬底 衬底 SiO2绝缘层 金属Al 箭头方向表示由P指向N P沟道增强型结构及符