硅工艺第1章 概论习题参考 答案.ppt

第一章 概论习题参考答案 列举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅有多纯？ 答：步骤如下 1）用碳加热硅石制备冶金级硅 SiO2 (s) + 2C (s) = Si (s) + 2CO (g)（吸热） 2）通过化学反应将冶金级硅生成三氯硅烷 Si (s) + 3HCl (g) = SiHCl3 (g) + H2 (g)（放热） 3）通过化学反应用氢气将三氯硅烷还原达到提纯的目的 SiHCl3 (g) + H2 (g) = Si (s) + 3HCl (g) （吸热） 半导体级硅纯度为 99. 9999999 % ，也就是平均十亿个硅原子中才有一个杂质原子。 2、列举七个衡量硅片质量的标准？ 物理尺寸：直径、厚度、晶向位置、定位边、硅片形变 平整度：通过硅片的上表面和一个规定参考面的距离得到 微粗糙度：硅片表面最高点和最低点的高度差别 氧含量：控制含量及均匀性 晶体缺陷：目前要求每平方厘米的晶体缺陷少于1000个 颗粒：典型值是200mm的硅片表面每平方厘米少于0.13个微粒，颗粒尺寸要大于0.08微米 体电阻：控制整个体硅中电阻率的均匀性 3、继续增大硅片直径的主要原因是什么？给出更大直径硅片的三个好处。 主要原因是：增大硅片直径给硅片制备带来成本利润。 更大直径硅片的三个好处： 更大直径硅片意味着有更大表面积，每个硅片上可制作更多芯片，每个芯片的加工和处理时间减少，设备生产效率提高； 更大直径硅片的边缘芯片减少了，转化为更高的生产成品率； 可制作更高集成度的芯片。 4、画图说明PN结制作的工艺流程。 5、在双极型集成工艺中，埋层杂质的选择原则是什么？ 1）杂质固溶度大，以使集电极串联电阻降低； 2）高温时在硅中的扩散系数要小，以减小外延时埋层杂质上推到外延层的距离； 3）与硅衬底的晶格匹配好，以减小应力。最理想的隐埋层杂质为 As 。 * 涂光刻胶（正） 选择曝光 热氧化 衬底选择 SiO2 显影（第1次图形转移） 刻蚀（第2次图形转移） 去胶 掺杂 P N CVD 淀积SiO2 膜 光刻接触孔 N P P N 蒸发镀Al 膜 光刻Al 电极 P N P N *