固体源分子束外延MBE中的射频氮等离子体源控制单层-EEFOCUS.PDF

固体源分子束外延（MBE ）中的射频氮等离子体源控制 单层生长的在现场控制 外延生长中过压条件下观察 到的GaAs 表面的反射高能 电子衍射 （RHEED ）图形 插页 1——MBE 表面重构和反射高能电子衍射 （RHEED ） MBE 表面作用 1 ，生长机制 2 ，表面重构 3 ，RHEED 系统综述 4 ，RHEED 振荡起源 5 ，RHEED 显示的控制面板 6 ，RHEED 振荡图 MBE 系统的改变 l 固体源MBE——都是元素源 优点：没有有毒气体 缺点：耗热多；磷需要裂化或升华源 l 气体源MBE——Ⅴ族元素氢化物；Ⅲ族元素 优点：易得到磷化物；不需要As 或P 的再装填 缺点：耗热多；产生有毒气体；额外的泵载荷 l 金属有机化合物MBE——Ⅲ族元素或Ⅴ族元素金属有机化合物 优点：减小热量消耗 缺点：难得到磷化物；要考虑金属有机化合物的纯度；要考虑碳污染；额外 的泵载荷；比起气体源MBE 没有太多优点；需要更多复杂化学物质 l 化学束外延——高真空中的MOCVC ，束约束 优点：耗热少；易得到磷化物；可以选择性生长 缺点：额外的泵载荷；可能产生碳污染；要考虑金属有机化合物的纯度；产 生有毒气体 讲评外延技术 l 液相外延 优点：便宜；平衡生长；层质量好；毒性低 缺点：难以制造多层；厚度控制差；原料和制品有限；要考虑均匀性；难以按 比例增高 l 汽相外延（氯化物和氢化物传输） 优点：高纯度；低毒性 缺点：复杂，凌乱；有记忆效应；厚度控制差；要考虑均匀性 l 有机金属化学蒸气沉积 优点：控制良好；反应快；通用性；原料多；可以选择性生长 缺点：产生有毒气体；要考虑均匀性 l 分子束外延 优点：束技术；在现场控制；单层控制 缺点：速度慢；昂贵；需要UHV 的维护 外延生长技术 分子束外延 （MBE ） ——超高真空条件 固体源MBE——元素源，In,Ga,As 和P 气体源MBE——元素源的结合（Ⅲ族 元素）和气体源（Ⅴ族元素） 有机金属化学蒸气沉积(MOCVD) ——低真空条件 使用气体源，如：TMG, TMI, TMA, AsH3 和PH3 插页2——MOCVD 和MBE 结果的比较 MOCVD 和MBE 的比较 1 ，RTD 表现 2 ，2DEG 流动性 3 ，AlGaAs 的PL 范围 生长量子线和点——超过量子势阱 l 生长和图形 生长量子势阱并把它们配形成线和点并不是这种方法所使用的。需要的图形 太小了，其尺寸难以控制。 l 直接生长 最通常的方法是在一个特别准备的表面上生长，产生的异质结构中就含有量 子线和点 量子线： ——在级形表面上生长 ——在开槽的表面上生长 量子点： ——薄的，高度失配的层的生长 生长量子线——V 形槽上MOCVD （原稿图片已删除,下同） 见：M. Walther et al, Appl. Phys. Lett. 60 (1992) 521-3. 生长目标 （图片已删除） 见：X-L Wang et al, Appl. Phys. Lett.