极化库仑场散射对algangan电子器件特性条没影响研究.docx

山东大学博士学位论文第三章AIGaN／GaN异质结场效应晶体管中异质结界面附加极化电荷分布确定 山东大学博士学位论文 第三章AIGaN／GaN异质结场效应晶体管中异质结界面附加极化电荷分布确定 及势垒层应变能分析 39 §3．1不同尺寸A1GaN／GaN HFET器件栅下载流子低场迁移率 40 §3．2理论模型自洽迭代方法确定A1GaN／GaN异质结界面附加极化电荷分 布 44 §3．3势垒层应变能分析 ．48 第四章极化库仑场散射对AIGaN／GaN异质结场效应晶体管橱源接触区电阻 和非本征跨导的影响 ．53 §4．1不同栅源电流下栅源接触区电阻R。的变化 54 §4．2各直流静态工作点下栅源接触区电阻匙的确定 62 §4．3极化库仑场散射对栅源接触区电阻R。的作用机理 68 §4．4极化库仑场散射对栅源接触区电阻尺。的影响 73 §4．5栅宽对非本征跨导特性的影响 ．76 §4．6极化库仑场散射角度分析器件优化 ．80 第五章衬底厚度及衬底偏压对AIGaN／GaN异质结场效应晶体管性能的影响87 §5．1衬底厚度对GaN缓冲层应变及器件性能的影响 88 §5．2衬底偏压对GaN缓冲层漏电流及器件开关特性的影响 94 第六章结论 1 03 j15C谢 107 攻读博士学位期间的研究成果 109 Paper 1 ．113 Paper 2 ．． ．．120 万方数据 山东大学博士学