基于cds的一维纳米材料控制合成研究-物理化学专业论文.docxVIP

⑦ ⑦ 浙江人学博二|=学位论文 中文摘要 ‘维纳米结构材料由于其能组装成许多特异功能材料，因而成为一个研究 热点。随着研究的深入，各种新颖的‘维纳米结构如纳米棒、纳米管、纳米丝、 纳米带和纳米同轴电缆等相继被发现。与此同时，一些材料的单纳米结构物性的 成功测量以及应用，更加推动人们研究新型一维纳米材料的控制合成，并探索其 形成机制。 CdS是_干十典型的光电半导体材料，在光吸收、光电转换、非线性光学、光 催化和传感器等方面有着广泛的应用。本论文中，以络合试剂为模板，通过水热 方法合成了‘维CdS(z。；Cd、S，Mo“掺杂CdS，聚合物包覆CdS)纳米棒，以及CdS 纳米棒的白组装体一多臂CdS纳米棒。产品用TEM、HRTEM、SEM、XRD、XPS、ICP、 EDS、UV—vis、RAMAN、IR、TG DSC和PL等技术进行了表征。 研究表明，络合试剂的稳定常数，或络合剂类型(即单齿、双齿型)并不是 水热法合成中形成‘维CdS纳米棒的决定因素(以往文献通常认为他们是决定因 素)。研究认为，中间态络合物的结构可能是水热合成中络合剂模板影响CdS纳 米晶体形貌的一个重要因素，并提出了一种水热合成CdS纳米棒的络合物结构诱 导生长机理。 通过改变硫源实现了对CdS纳米棒直径的控制合成。以硫化铵、氨基硫脲、 硫脲和硫代乙酰胺为硫源，所得CdS纳米棒的直径分别为30，60，140和650nm。 所选硫源不仅能提供水热反应所需S’，而且也是种络合配体。研究认为，硫 源的配位能力可能是控制水热合成CdS纳米棒直径的一个重要因素。 Zn。Cdl．。S是一类重要的三元半导体材料，改变化学计量式可调节其物理、 化学性质。本论文通过水热方法 步合成了Zno 72Cdo_28S， Zno 48Cdo 52S and Zno 24Cdo 76S纳米棒。Zn。Cdt一。S的荧光光谱随着cd含量的增加逐渐红移。 过渡金属离子掺杂半导体材料能显著地改变材料的光电性质。本论文中用水 热方法合成了Mn”掺杂‘维CdS纳米棒。产品结晶性较好，部分晶体具有层错结 构特征。荧光光谱中，CdS纳米晶体的表面缺陷态的发射峰被完全抑制，只有单 ‘的Mn”的发射峰。 露经悸雩。导师嗣簿 抽象§公惠 ⑦ ⑦ 浙江大学博+学位论文 半导体纳米材料本身高度不稳定，易被光解、严重团聚，以及存在大量表面 缺陷等问题。为此，通常需要对半导体纳米材料进行表面修饰，使其表面饨化， 或改善表面状态，以期提高材料的光、电性能。本论文以聚合物PVP分子作为表 面修饰剂，通过水热合成的方法制备出了尺寸大小分布均匀、性能稳定的CdS 纳米棒。经PVP表面修饰后的CdS纳米棒的吸收光谱呈现分离的吸收峰即结构峰 的特征，同时荧光发射光谱的发射峰明显增强，发射峰型更窄。 由纳米微粒以一定的规律组装而成的宏观体系，不仅具有纳米微粒的特性， 如量子限域效应、小尺寸效应、表面界面效应，而且存在着由于纳米微粒组装后 因规则排列而导致的新效应，如量子耦合效应与协同效应。奉论文研究了一维 CdS纳米棒的自组装，用水热方法得到了CdS纳米棒的自组装体一三臂CdS纳米 棒。三臂的晶相均为正交晶系(一种新CdS晶相)，核为六方晶相。这种新型结 构三臂CdS纳米棒为首次合成。研究了不同条件如络合试剂、温度对自组装体的 影响，研究表明中间态络合物较低的稳定性或较低的温度有利于三臂CdS纳米棒 的形成。 关键词：CdS，络合试剂，硫源，掺杂，表面修饰，荧光光谱，水热合成 维纳米棒，自组装 Ⅱ ⑧Abstract ⑧ Abstract one dimensional(1D)nano—structure materials as a build block of many specially functional materials is a hot issue．With the study progressing，many kinds of novel ID llano—structure such as nanorod，nanotube，nanowire，nanobelt and nanocable have been discovered．At the salIIC time，The physical properties of single nanostructure of some materials have successfully been measured and applied，Which push scientists tO study the control synthesis and the formation mechanism of ID nanomaterials． As one o