Si基与Fe基纳米材料的若干探索.pdfVIP

第一章绪论 场发射材料，且具有阈值场强低，电流密度大，高温稳定性好等优异的特点，利 用这一特性可制成第三代新型电子光源，并将在图像显示技术方面发挥巨大作 用。因此，如何大规模地可控制地制备SiC纳米线就显得十分重要。 1．2．1 SiC纳米线的制备方法与生长机制 各国研究人员在SiC纳米线制备方面开展了大量的工作，同时在理论方面提 出了多种SiC纳米线生长机制。事实上，SiC纳米线的制备方法与其生长机理有 着非常密切的内在关系。 1．2．1．1基于气相．液相．固耗I(VLS)生长机制的制备方法 气相．液相．固相生长机N(VLS)下纳米线的生长过程为：首先分散在衬底上 一些纳米级金属催化剂粒子，经加热与生长纳米线所需的原材料形成合金液滴作 为成核中心，然后合金液滴不断吸收周围的气态原材料，达到过饱和后，原材料 将从液滴中析出沉积在衬底上。由于固．液界面能量的各向异性，原材料将在能 量最低的方向析出，这个过程持续进行，便形成了纳米线。纳米线一直生长到液 态催化剂变成固态。若催化剂和衬底之间的相互作用比较弱，合金粒子将被推到 纳米线的前端，这种生长模式属于项部生长模式；若催化剂颗粒和衬底之间的相 互作用比较强，催化剂将粘附在衬底上而出现在纳米线的末端，这种生长模式属 于底部生长模式。因此，纳米线的一端有没有纳米级合金粒子是判断是否为VLS 生长机制的主要标志。下面介绍几种基于VLS生长机制制备SiC纳米线的方法。 (1)激光烧蚀法 ‘激光烧蚀法是利用激光束烧蚀耙材，使其上的金属催化剂团簇熔化后作为成 核中心，然后借助VLS生长机制实现纳米线的生长。Shi等【4】用激光烧蚀法在较低 的温度下合成了SiC纳米线。 (2)电弧放电法 电弧放电法是借助电弧放电时产生的热量加热材料，从而造成一个气．液一固 的环境。该法为1991年Iijimat5】首创，它是制备纳米线特别是碳纳米管的一种常 用方法。2000年Xie[6】等用直流放电法大量地制备了B-SiC纳米线。 (3)加热蒸发法 加热蒸发法是利用简单物理蒸发的方法加热材料，使其中包含的催化剂材料 变为液态，然后该液滴不断吸收周围的原材料气体，达到过饱和后析出而生长为 纳米线。2002年Wu掣‘7】用加热蒸发法制备了针状的B—SiC纳米线。 (4)化学气相沉积(CVD)法 化学气相沉积法是利用高温加热材料，使它们反应生成另外的物质，然后沉 2 第一章绪论 积在衬底上的方法，该法最初用来制备薄膜，后来也用在纳米线的制各上。2000 年Zhou等【8l利用热丝化学气相沉积技术，用硅粉和石墨粉作原料(其中含有少量 的金属杂质)，在硅衬底温度为1000℃，热丝温度为2200℃条件下，成功制备出 SiC纳米线。这些纳米线的内核为晶体p．SiC，外面被一层无定形的氧化硅层所包 裹。纳米线的直径为10．30纳米，其中氧化硅包裹层的厚度为1．2纳米，纳米线的 长度约为1微米。 混合粉末，在Si(100)衬底上沉积一层SiO，薄膜作为硅源，然后和作为唯一的碳源 的有序热解石墨片(HOPG)一起放入氧化铝管中，利用流动』6戒的保护在1300。C 下生长约2d,时，得到B—SiC纳米线。纳米线的直径为10．60纳米，长度为几微米， 并且在硅衬底上有SiO。薄膜覆盖的地方高密度生长，而在没有SiO。薄膜的区域就 不生长，这表明SiC纳米线的生长具有选择性。纳米线外面几乎没有被氧化硅层 所覆盖，这是由于共沉积在硅衬底上的碳(来源于HOPG)提供了一个还原的环 境，从而阻止了Si02层的形成。这种方法的优点是可以获得高质量的单晶p．SiC 纳米线，纯度比较高，而且通过控SUSiO。薄膜的分布就可控制p．SiC纳米线的生 长，可获得有序生长的SiC纳米线阵列。值得注意的是，虽然纳米线的生长机制 也是Ⅵ。S机制，但是在纳米线的尖部并没有金属催化剂粒子，催化剂粒子留在了 衬底上。 用直流磁控溅射的方法沉积一层2纳米厚的Ni层，然后把衬底放入CVD反应系统， 且在较低的温度下就可分解)，把反应系统加热到950℃进行催化裂解，保持5分 钟，然后冷却到室温，得至USiC纳米线。结果表明，纳米线的直径为20．50纳米， 长度为几微米，但分布较杂乱。XRD分析表明，纳米线为单晶B．SiC。经过深入 研究发现，纳米线的形态跟温度有很大关系：低于900℃，倾向于无定形SiO。纳 米线