高电压学习要点.doc

高电压 名词解释： 电子式极化：在外电场作用下，原子核与电子之间发生相对位移的过程。 离子式极化：在外电场作用下，正负离子之间的相对位移过程。 转向极化：在外电场作用下，单个粒子形成序化排列的过程。 夹层式极化：在外电场作用下，夹层界面产生堆积电荷的现象。 非自持放电：需要依赖外界的电离因素才能维持的放电。 自持放电：不需要依赖外界的电离因素就能维持的放电。 撞击电离：在电场中获得加速的电子与气体原子或分子相互碰撞产生游离，称碰撞游离即撞击游离。 热电离：由气体的热状态造成的电离。 电负性：中性分子或原子俘获电子成为负离子的特性。 电子崩：电子的撞击电离所发展形成的类似于雪崩的放电现象。 伏秒特性：冲击电压作用下，气体击穿电压的最大值与击穿时间之间的联系。 U50%：气隙被击穿的概率为50%的冲击电压峰值。 U2μS：气隙击穿时，击穿前时间小于和大于2μS的概率为50%的冲击电压。 电晕：伴随着电离而存在的复合和反激励，辐射出大量光子，使在黑暗中可以看到该电极附近空间有蓝色的晕光。 累积效应：由不完全击穿的累积导致其绝缘水平下降的现象。 先导：长间隙在放电的产生与发展阶段产生炽热的等离子体通道。 沿面放电：一般指沿着固体介质表面的气体（或液体）放电。 吸收比：时间为60S与15S是所测得的绝缘电阻值之比。 耐压试验：模仿设备绝缘在运行中可能受到的各种电压，对绝缘施加与之等价的或更为严峻的电压，从而考验绝缘耐受这类电压的能力，称为耐压试验，也称破坏性试验。 检查性试验：测定绝缘某些方面的特性，并据此间接地判断绝缘状况，也称非破坏性试验。 耐雷水平：雷击线路时线路绝缘不发生闪络的最大雷电流幅值。 雷击跳闸率：每100KM线路每年由雷击引起的跳闸次数。 建弧率：冲击闪络转为稳定工频电弧的概率。 最大持续运行电压：允许持续加在ZnO避雷器两端之间的最大工频电压有效值。 起始动作电压：ZnO避雷器通过1mA工频电流峰值或直流电流时，其两端之间的工频电压峰值或直流电压，通常用U1mA表示。 残压：放电电流通过ZnO避雷器时，其两端之间出现的电压峰值。 额定电压：避雷器两端之间允许施加的最大工频电压有效值。 雷暴日：一年中有雷的日数。 地面落雷密度：每一雷暴日每平方千米地面遭雷击的次数。 第一章 极化形式及其特点：（T） 电子式极化：在外加电场作用下，原子核与电子之间产生相对位移。 特点：普通存在，无能量损耗，时间很短，与f无关。 离子式极化：在外加电场作用下，正负离子相对位移极化。 特点：基本无损耗，时间较短，与f无关。 转向极化：单个粒子呈极性，材料整体呈中性；偶极子在外加电场作用下转向，形成有序化排列，形成极性。 特点：有损耗，时间较长，与f有关，温度的影响较明显。 夹层式极化：在电场作用下，在夹层界面出现电荷堆积现象。 特点：有损耗，时间长，只有在低频时才有意义。 画图分析温度、频率对极性介质介电常数的影响 温度：低温时，分子间黏附力强，转向极化较难，ε较低；温度升高，分子间黏附力减弱，转向极化较易，ε升高；温度继续升高，分子热运动加强，对极性分子序化排列干扰增强，ε反而减少。 频率：频率相当低时，偶极分子来得及跟随电场交变转向，ε较大；当频率超过临界值f0时，极性分子的转向跟不上电场变化，ε减小，最终接近于ε∞。 关于介质电导、介质损耗的基本知识（T） 介质电导：气体介质的电导由电离出来的自由电子、正离子和负离子在电场作用下移动而造成。液体和固体介质的电导是由于介质的基本物质（及其中所含杂质）分子发生化学分解或热电离形成的带点质点（电子、正离子、负离子）沿电场方向移动而造成。 介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损耗。在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角（功率因素角Φ）的余角δ称为介质损耗角。 单位体积介质中的损耗功率用下式表达： P=E=EJtanδ=ωεtanδ=ωtanδ 对于含有均匀介质的平板电容器，总损耗功率为： P=ρV=ωεtanδV=ωCtanδ *液体介质损耗：1.中性电介质：电导很小，受杂质影响显著。2.极性电介质：电导很大，受杂质影响小。3.影响因素：杂志、E、Q。 *固体介质电导：1.体积电导2.表面电导 亲水性（大） 憎水性 介质损耗：1.电导损耗2.极化损耗（极性介质、交流电源） *损耗角：1.tgδ= 2.P=wc·tgδ 过度过程：R= *吸收比：K= 正常时1;受潮 τ减少 过度过程减少 第二章 带电质点产生与消失的各种方式。（T） 产生：1.气体分子电离2.光电离3.撞击电离4.热电离5.金属表面电离【①光电子发射②热电