硅集成电路工艺丽——离子注入.pptVIP

Chap.4 离子注入（Ion Implantation） 离子注入的缺点： 入射离子对衬底有损伤； 很浅和很深的结难于制得； 高剂量注入产率受限制； 设备昂贵。 §4.1 离子注入机理 核碰撞（核阻止） 和晶格原子的原子核发生碰撞 发生明显的散射 造成大量晶格损伤 Sn(E)=(dE/dx)n 电子碰撞（电子阻止） 和晶格原子的电子发生碰撞 注入离子的路径基本不发生变化 能量转移很小 造成的晶格损伤很小 Se(E)=(dE/dx)e 核阻止本领和电子阻止本领曲线 能量较低，质量较大的离子，主要是通过核阻止损失能量 能量较高，质量较小的离子，主要是通过电子阻止损失能量 §4.2 注入离子在无定形靶中的分布 射程、投影射程、平均投影射程 常见杂质在硅中的平均射程 沟道效应（Channeling Effect） 沟道效应的概念（见书） 沟道效应的消除方法： 使晶体的主轴方向偏离注入方向（7度左右，阴影现象） 在晶体表面覆盖介质膜，散射后改变注入离子的方向 表面预非晶化（注入锗） §4.3 离子注入系统 磁分析器原理 加速和聚焦系统 利用各种电极可以很方便地对离子束进行加速和聚焦： 先加速，后分析：避免离子在到达硅片之前丢失电荷，但需要大磁场； 先分析，后加速：分析器较小，但加速过程中电荷交换影响束流强度和纯度； 前后加速，中间分析：调节方