西安交通大学微电子制造技术第十七掺杂复习课程.pptVIP

注入能量 (keV) 投影射程 Rp (mm) 10 100 1,000 0.01 0.1 1.0 B P As Sb 注入到 硅中 Figure 17.8 注入能量对应射程图 投影射程(实线和左轴)及标准偏差(虚线和右轴) 投影射程(实线和左轴)及标准偏差(虚线和右轴) 入射离子的能量损失模型 在入射离子进入靶时，每个离子的射程是无规则的，但对大量以相同能量入射的离子来说，仍然存在一定的统计规律性。在一定条件下，其射程和投影射程都具有确定的统计平均值。为了确定入射离子的浓度(或射程)分布，首先应考虑入射离子如何与靶中原子核和电子发生碰撞而损失能量的过程。因原子核和电子的质量差别很大(几个数量级)，所以这两种碰撞机构的情况是不同的。 因此，可以把入射离子能量的损失分为两个彼此独立的过程，即入射离子和原子核的碰撞及入射离子和电子的碰撞两个过程来处理。 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si X-射线 电子碰撞 原子碰撞 被移动的硅原子 携能杂 质离子 硅晶格 Figure 17.9 注入杂质原子能量损失模型 轻离子冲击 重离子冲击 Figure 17.10 轻离子和重离子引起的晶格损伤 入射粒子在硅片中的分布 入射粒子在硅片中的分布