晶体管电路的三个及工作区域.docVIP

晶体管的输入特性曲线如下图 晶体管的输出特性曲线如下图 上图只是表示晶体管的各个参数在一定范围内，晶体管处于放大状态的特性曲线，并非直观的表示放大区域相对于另外两个工作区域而言占有很大的比例。参数的设置决定了晶体管所在的工作区域。 对于下图中最简单的共射电路（没有加入基极偏置电阻及反馈电阻），其工作区域随参数的变化而更改，可以更好地反映出三个工作区域之间的联系与区别。 由于输入回路没有进行静态工作点的设置即没有对输入回路进行直流偏置设置，所以当输入电压Vi为0时，相当于基极开路，发射结电压小于其开启电压即发射结处于截止状态，集电结处于反偏状态；在图1.3.6上反映在Ib很小或者为0的区域，即晶体管处于截止区。 当输入电压使得发射结刚刚开启，且由于此时Vc电压大于输入电压Vi，使得此电路处于放大区域，基极电流被放大，反映在输出电路部分表现为集电极电阻压降和集电极输出电压；如果集电极电阻设置合适（还有其他设置条件），使得Vc=Vce大于输入电压Vi（此电路中由于没有加入发射极电阻故两者相等），即使得集电极处于反向偏置状态，则此共射电路处于放大区域，并且输入电压Vi在一定的范围内，此晶体管都会处于放大区域，其前提是参数的正确设置。如下图所示。（静态工作点的负载线曲线在后面贴出） 如果上图电路中的输入电压Vi继续增大，见图1.3.5 ，则Vbe随之增大，基极电流Ib亦增加，反映在输出电路