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第五章 功率场效应晶体管 （Power MOSFET) §5.1 结构与工作原理 §5.2 MOSFET特性与参数 §5.3 栅极驱动和保护 §5.4 应用 2．驱动特性 MOSFET栅源间静态电阻趋于无穷大，静态时栅极驱动电流几乎为零，但由于栅极输入电容的存在，栅极在开通和关断的动态驱动中仍需一定的驱动电流。 ①开通驱动特性 开通时间 振荡过程 感性负载 引线电感 驱动电路输出电阻 ②关断驱动特性： VGS=VDS+VT 预夹断，进入放大区 VDS关断时，由于引线电感存在，产生尖峰电压 电路中应加缓冲电路，限幅电路防止过电压 关断时，负驱动信号 尖峰电压 二、栅极驱动电路 （一）驱动电流选择： 不同MOSFET，极间电容量不同，功率越大，极间电容越大，开通关断驱动电流也越大。 1．开通驱动电流： 在ts时间内，将栅极输入电容充电到饱和导通所需电压VGS 2．关断驱动电流： 截止时漏极电压 放电时间 * * TO-247AC TO-220F TO-92 TO-126 一、普通MOSFET基本结构 特点：单极型电压控制器件，具有自关断能力，驱动功率小 工作速度高，无二次击穿问题，安全工作区宽。 1．N沟道MOSFET 工作原理： ①VGS=0，无导电沟道。 ②VGS0，反型层出现， 形成N沟道，电子导电。 G