基于afm的刻线边缘粗糙度测量技术研究-机械电子工程专业论文.docxVIP

Classified Index: TB921 U.D.C: 681.786 Dissertation for the Doctoral Degree in Engineering RESERCH ON THE MEASUREMENT TECHNOLOGY OF LINE EDGE ROUGHNESS BY AFM Candidate: Li Hongbo Supervisor: Prof. Zhao Xuezeng Academic Degree Applied for: Doctor of Engineering Speciality: Mechantronic Engineering Affiliation: School of Mechantronic Engineering Date of Defence: December, 2006 Degree-Conferring-Institution:Harbin Institute of Technology 摘 摘 要 - - I - 摘 要 随着集成电路“按比例缩小”趋势的不断发展，刻线临界尺寸不断减 小。根据国际半导体路线图确定的目标，DRAM 的半节距在 2010 年将达到 45nm。在临界尺寸下降的过程中原先可以忽略的刻线边缘粗糙度对元件电 气性能的影响将越来越大，其原因是边缘粗糙度并不随着刻线线宽的减小而 减小，临界尺寸达到 50nm 时边缘粗糙度将占到刻线线宽误差的一半以上。 边缘粗糙度的测量与控制目前已成为光刻工艺和集成电路制造业关注的热点 问题之一。 原子力显微镜由于具有以纳米级分辨率观测物体表面三维形貌以及对被 测样本适应性广的特点，近年来在工业领域得到了越来越广泛的关注，应用 范围不断扩大。由于不要求被测样本为非绝缘体，原子力显微镜将可能成为 边缘粗糙度测量精度要求不断提高的最有效工具。 首先分析了原子力显微镜的工作原理、测量过程、仪器结构和工作模 式。对探针的膨胀作用、驱动器的非线性以及扫描图像的滤波去噪等测量时 存在的问题进行了深入探讨。比较并分析了原子力显微镜测量边缘粗糙度的 方法，得出了在目前切割样本条件不具备的情况下，采用倾斜测量以获得尽 可能多的刻线边缘表面形貌是唯一可行的边缘粗糙度的测量途径。 为能够获得与扫描电子显微镜相比较的测量结果，针对评价边缘形貌的 常见方式之一——线宽粗糙度的测量进行研究。应用图像处理中几种常见的 方法——直方图、二值化以及边缘提取算子，获得了刻线的线宽粗糙度；给 出了采用纳米管探针原子力显微镜的线宽粗糙度测量及评价步骤。得出了线 宽粗糙度与获得线宽的位置——刻线高度截面有关：随着刻线高度增加，线 宽粗糙度及其偏差减小；采用四种边缘提取算子，Roberts、Sobel、Canny 和 Prewitt，提取刻线顶部线宽和线宽粗糙度，结果表明对采用碳纳米管针 尖的原子力显微镜测量单晶硅刻线的线宽和线宽粗糙度，边缘提取算子的改 变对测量结果基本没有影响；比对了普通氮化硅探针针尖、超尖探针针尖以 及碳纳米管探针针尖的线宽粗糙度测量结果：采用三种不同的针尖测 量 NIST EEEL 线宽标称值 1000nm 刻线的线宽粗糙度，研究结果显示出三种针 尖对线宽粗糙度的测量结果不敏感，测量结果基本相同，这一情况说明，如 果需要得到精确的刻线边缘表面形貌，必须提高原子力显微镜分辨率，解决 的方法是采用标称值更小的线宽样本或仅测量刻线的单侧边缘。 哈尔滨工业大学工学博士学位论文 哈尔滨工业大学工学博士学位论文 - - II - 重构了刻线的边缘表面。采用原子力显微镜在倾斜测量方式下获得刻线 单侧边缘的形貌特征。由于测量数据中包含刻线轮廓中的非边缘数据，因此 必须对这些数据加以识别并剔除。根据原子力显微镜的数据采集特点，提出 了一种重构边缘表面形貌的方法，为本文提出的边缘粗糙度的评定做准备。 根据表面形貌评价的发展趋势，结合集成电路和光刻制造工艺的具体需 求，提出了采用三维参数评价边缘表面形貌，给出了评价步骤，提出一组描 述边缘粗糙度统计特性的参数。采用回归分析的方法确定了边缘表面的评价 基准面，提出了以该基准面为参考的一组统计参数，并给出了边缘粗糙度标 准差参数的精度分析。 关键词 边缘粗糙度；线宽粗糙度；原子力显 微镜；表面恢复及重构； 三维参数 Abs Abstract - - PAGE VIII - Abstract With the development of “scaling” in Integrate Circuit, the critical dimension reduces continuously. It is expected half pitch of DRAM would be 45nm