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國 立 交通 大 學 理學院 IC 製程化學產業研發碩士專班 碩 士 論 文 奈米等級 PN接面二極體 Nano – PN Junction 研 究 生：黃昭凱 指導教授：孫建文 博士 中 華 民 國 九 十 六 年 五 月 奈米等級 PN接面二極體 Nano – PN Junction 研 究 生：黃昭凱 Student ：Chiao-Kai Hwang 指導教授：孫建文 Advisor ：Kien-Wen Sun 國 立 交 通 大 學 理學院 IC 製程化學產業研發碩士專班 碩 士論 文 A Thesis Submitted to Department of IC Chemical Processing National Chiao Tung University in partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master of Science in IC chemical processing May 2007 Hsinchu, Taiwan, Republic of China 中華民國九十六年五月 奈米等級 PN接面二極體 學生：黃昭凱 指導教授：孫建文 國立交通大學理學院 IC 製程化學產業研發碩士專班 摘要 二極體元件，一直以來在積體電路中 ，具有相當廣泛的應用，其 元件原理及特性，更是構成半導體元件的基石。現今半導體的特徵尺 寸逐漸縮小至奈米等級，使得現有的理論觀念已不能用來解釋其效應 特性。而利用其新的特性，勢必造成全新的應用層面發展。 目前以矽基材所做出來的太陽能電池 ，雖然被廣泛地使用，但其 轉換效率卻不及以異質接面砷化鎵為基材的太陽能電池。其主要的原 因在於矽元素屬於間接能隙的材料特性使然；然而，此一特性，使得 矽具有較砷化鎵更多的光波長吸收範圍 ，但也相對地造成較大的飽和 電流，致使漏電流增加，導致整體轉換效率下降。有鑑於此，本論文 的研究方向，在於提出一個方法，用來改善矽基材的飽和電流特性。 本實驗透過電子束微影技術，來製作一矽奈米等級 PN 接面二極 體元件，藉此特殊結構性質，來探討是否能夠有效地降低矽基材的飽 和電流，並與傳統塊材 PN 二極體來相互比較，觀察兩種不同 PN 接 面面積的二極體，其電性是否會有不同的表現方式。 關鍵字：二極體、電子束微影技術 - I -