《42_3_4绝缘栅场效应管》-课件设计（公开）.pptVIP

西安电子科技大学计算机学院 吴自力 2011--4 * 4.2 绝缘栅场效应管: 绝缘栅型场效应管Metal Oxide Semiconductor —— MOSFET MOSFET是利用半导体表面的电场效应进行工作的，也称为表面场效应器件。 分为: 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 增强型： 没有导电沟道， 耗尽型： 存在导电沟道， * MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。 1. N沟道增强型MOS场效应管结构 4.2.1增强型MOS场效应管 在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。 * 漏极D→集电极C 源极S →发射极E 栅极G→基极B 衬底B 电极—金属 Metal 绝缘层—氧化物 Oxide 基体—半导体 Semiconductor 因此称之为MOS管 MOSFET * 2. N沟道增强型场效应管的工作原理 栅源电压VGS的控制作用 当VGS=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的 PN结隔离，因此，即使在D、S之间加上电压, 在D、S间也不可能形成电流。 当 0＜VGS＜VT (开启电压)时， 结果在衬底表面形成一薄层负离子的耗尽层。漏源间仍无载流子的通道。管子仍不能导通，处于截止状态。 通过栅极和衬底间的电容作用，将栅极下方P型衬底表层的空穴向下排斥，同时，使两个N区和衬底中的自由电子吸向衬底表层，并与空穴复合而消失， * 把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。 当VGS＞VT时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。 I D * 3. N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 UGS一定时， ID与UDS的变化曲线，是一族曲线 ID=f(UDS)?UGS=C (1).输出特性曲线 1).可变电阻区： ID与UDS的关系近线性 ID≈ 2K(UGS-UT)UDS UGS=6V UGS=4V UGS=5V UGS=3V UGS=UT=3V UDS(V) ID(mA) 当UGS变化时，RON将随之变化 因此称之为可变电阻区 当UGS一定时，RON近似为一常数 因此又称之为恒阻区 * 2). 恒流区： 该区内，UGS一定，ID基本不随UDS变化而变化。 3).击穿区： UDS 增加到某一值时，ID开始剧增而出现击穿。 当UDS 增加到某一临界值时，ID开始剧增时UDS称为漏源击穿电压。 UGS=6V UGS=4V UGS=5V UGS=3V UGS=UT=3V UDS(V) ID(mA) * 转移特性曲线的斜率 gm 的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 其量纲为mA/V，称gm为跨导。 gm=?ID/?VGS?Q （mS) ID=f(VGS)?VDS=常数 UDS一定时，UGS对漏极电流ID的控制关系曲线 (2).转移特性曲线 在恒流区，ID与UGS的关系为 ID≈K(UGS-UT)2 * 增强型MOS管特性小结 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 * 1. N沟道耗尽型MOS场效应管结构 4.2.2耗尽型MOS场效应管 + + + + + + + ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 耗尽型MOS管存在 原始导电沟道 N沟道耗尽型MOS管，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子，在管子制造过程中，这些正离子已经在漏源之间的衬底表面感应出反型层，形成了导电沟道。 * 2.N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理 当UGS=0时，UDS加正向电压，产生漏极电流ID, 此时的漏极电流称为漏极饱和电流，用IDSS表示 当UGS＞0时，将使ID进一步增加。 当UGS＜0时，随着UGS的减小漏极电流逐渐减小。直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断电压，用符号UP表示。 UGS(