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电子工程师初级认证 晶体管放大电路 三极管放大电路 三极管的电流放大作用和工作状态 放大电路的性能指标 三极管放大器的性能指标计算和各元件的作用 基极 发射极 集电极 NPN型 PNP型 三极管的类型和符号 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 NPN型三极管 发射结 集电结 NPN型三极管 EB RB EC 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 三极管的电流放大作用 EB RB EC 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 三极管的电流放大作用 IB=IBE-ICBOIBE 三极管的电流放大作用 ICE与IBE之比称为电流放大倍数 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 三极管的电流放大作用 NPN型三极管 PNP型三极管 三极管的电流放大作用 IC V UCE UBE RB IB EC EB 三极管的特性曲线 工作压降： 硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 输入特性 IC(mA ) 此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB。 输