集成电路制卧造工艺.pptxVIP

集成电路制造工艺;硅提纯→单晶生长→切片（按一定晶向）→磨片→化学机械抛光→晶体缺陷吸除;一. 热氧化工艺;将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以达到改变半导体电学性质。 主要应用在衬底参杂和外延生长。;横向扩散;特点： 参杂的均匀性好 温度低小于600C 精确控制杂质分布 可以注入各种各样的元素 横向扩展比扩散要小得多 无固溶度极限 真空环境下减少污染 ;使硅片表面均匀参杂。;—— 高温炉退火;离子注入的应用一;离子注入的应用二;离子注入的应用三;离子注入的应用四; ;用于薄膜制备技术，形成绝缘薄膜、半导体薄膜、金属薄膜等。;岛束不断成长形成连续的膜，岛束汇集合并形成固态的薄层并延伸铺满衬底表面。;SiH4 + O2 → SiO2 + 2H2 硅烷;1. 清洗硅片表面的自然氧化层，残余的有机杂质和金属杂质以获得完美的表面。 2. 气体反应产生的原子???击到硅片表面并移动直至在适当位置与硅片表面的原子键合。 3. 这种方式使外延层和衬底有相同的结晶方式。;五. 光刻工艺; 复制与掩膜版相反图形 分辨率差，适于加工线宽≥3um ;六. 刻蚀技术;把实际电路放大５或１０倍，称为５Ｘ或１０Ｘ掩膜。掩膜上的图案仅对应着基片上芯片阵列中的一个单元。上面的图案可以通过步进曝光机映射到整个基片上。;光刻工艺步骤一：氧化;光刻工艺步骤二：涂胶;光刻工