氧化物薄膜晶体管研究进展兰林锋张鹏彭俊彪.PDFVIP

氧化物薄膜晶体管研究进展 兰林锋 张鹏 彭俊彪 Researchprogressonoxide-basedthinfilmtransisitors LanLin-Feng ZhangPeng PengJun-Biao 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,128504(2016) DOI: 10.7498/aps.65.128504 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.128504 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I12 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 基于金属氧化物薄膜晶体管的高速行集成驱动电路 Highspeedgatedrivercircuitbasdonmetaloxidethinfilm transistors 物理学报.2016,65(2): 028501 /10.7498/aps.65.028501 内嵌CuO薄膜对并五苯薄膜晶体管性能的改善 Analysisofimprovedcharacteristicsofpentacenethin-filmtransistorwithanembeddedcopperoxidelayer 物理学报.2015,64(22): 228502 /10.7498/aps.64.228502 溶胶凝胶法制备以HfO 为绝缘层和ZITO为有源层的高迁移率薄膜晶体管 Highmobilitythin-filmtransistorwithsolution-processedhafnium-oxidedielectricandzinc-indium-tin-oxide semiconductor 物理学报.2015,64(16): 168501 /10.7498/aps.64.168501 溶液酸碱性对低聚苯亚乙炔基分子结电输运性质的影响 Electronictransportpropertiesofoligophenyleneethynylenemolecularjunctionsinalkalineandacidsolu- tions 物理学报.2014,63(6): 068502 /10.7498/aps.63.068502 1,4-丁二硫醇分子器件电输运性质的力敏特性研究 Studyonforcesencitivityofelectronictransportproperties of 1,4-butanedithiol molecular device 物理学报.2014,63(6): 068501 /10.7498/aps.63.068501 物理 学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 12 (2016) 128504 综 述 氧化物薄膜晶体管研究进展 彭俊彪 兰林锋 张鹏 (华南理工大学, 发光材料与器件国家重点实验室, 广州 510640) ( 2016 年2 月6 日收到; 2016 年3 月13 日收到修改稿) 氧化物半导体材料因其载流子迁移率高、制备温度低、电学均匀性好、对可见光透明和成本低等优势, 被 认为是最适合驱动有机发光二极管的薄膜晶体管(TFT) 的半导体有源材料之一. 目前氧化物TFT 已成功地 应用在平板显示的驱动背板上. 本文从氧化物TFT 的历史和发展状况出发, 先介绍了氧化物半导体材料及其 载流子输运机理, 然后详细介绍了氧化物TFT 的结构、制备方法以及电学稳定性, 接着介绍了近些年来氧化 物TFT 的应用情况, 最后总结了氧化物TFT 存在的问题以及今后研究的方向. 关键词: 薄膜晶体管, 输运机理, 制备, 稳定性 PACS: 85.65.+h, 71.23.–k, 71.38.Fp DOI: 10.7498/aps.65.128504 一性; 3) 氧化物半导体薄膜能在较低温度下获得, 1