晶体管设计-2碎013-胡.pptVIP

（3）单元发射极条长： 若浓基区条宽按最小尺寸选取，则sb＝6μm。可得有效条长 实际取le=76μm leff。也正好在经验取值（4－8）se范围内。 （4）发射极条数： 取n＝160。 （5）发射极引线孔尺寸： 引线孔按光刻精度选取为6μm ，且为了制版和光刻容易对准，长度方向的套刻间距取9μm，因而发射极引线孔的尺寸为58×6μm 2。 5．镇流电阻 6．主要电学参数验算 7．光刻版制作 8．制造 作业与考核要求 1、每30人一组（按学号排列），每组一个题目； 2、设计报告：手写（不少于10页）； 3、按学号前后，两人一组交报告，设计报告每人一份。 4、报告包含内容： 器件功能、参数描述和器件设计过程。 作 业 一班 第一组：PH0912-35； 第二组：PH1113-100； 第三组：PH1214-2M； 二班 第四组：PH1214-20EL；第五组：PH1516-2； 第六组：PH1819-15N； 教改班 第七组：PH1920-33。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 课程设计及设计性试验－晶体管设计 一、引言 二、晶体管设计 （一）晶体管特性概述 进行晶体管设计，是对晶体管基本理论的一次综合运用过程，是理论结合实践的一个重要部分。但前面所学的基本理论只能反映晶体管内部的基本规律，而且这些规律性往往是在忽略很多次要因素的情况下得到的，特别对工艺因素的影响基本上没有考虑进去。因此，设计过程中必须注意引入从生产实践中总结出的经验数据。同时要边设计，边试制，经过多次反复，将存在的主要问题反映出来，然后再进行综合分析和调整，最后提出比较切实可行的设计方案。 （二）各个物理、几何参数对器件特性的影响 双极晶体管的主要电学参数可分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。 1、直流参数 （1）共射电流放大系数β：主要与Wb、NB（基区平均杂质浓度）、NE（发射区平均杂质浓度）有关； （2）反向饱和电流ICBO、ICEO、IEBO：主要由寿命τ，空间电荷区宽度xm（N）决定； （3）饱和压降VCES：主要与rb（Wb、NB）和rCS（NC、WC、AC）有关； （4）输入正向压降VBES：主要与rb（Wb、NB、）有关。 2．交流参数 （1）特征频率fT：由传输延迟时间τeC决定， τe （Ae、NE）、τb（Wb、NB）、τc（Ac、NC）和τd（NC）； （2）功率增益GP：主要由fT、Cc（AC、Apad）和rb（Wb、NB）决定； （3）开关时间ton和toff：主要与Ae、AC、基区和集电区少子寿命τ和集电区厚度WC有关； （4）噪声系数NF：NF主要由rb和fT决定。 3．极限参数 （1）击穿电压BVCEO、BVCBO、BVEBO：BVCBO主要由NC、WC和xjC决定，BVEBO主要由发射结侧壁基区表面浓度决定； （2）集电极最大电流Icm：与发射极总周长LE、集电区杂质浓度NC有关； （3）最大耗散功率Pcm：主要与热阻RT（基区面积Ab、芯片厚度t）有关； （4）二次击穿耐量ESB：主要与NC、WC和镇流电阻RE有关。 晶体管的各电学参量之间是相互有关的，而且电学参数随结构参数的变化关系也相当复杂，甚至出现相互矛盾。 （三）晶体管设计的基本原则 尽管双极晶体管的电学参数很多，但对于一种类型的晶体管，其主要电学参数却只有几个。如对于高频大功率管，主要的电学参数是GP、fT、BVCBO、Pcm和Icm等；而高速开关管的主要电学参数则是ton、toff、VCES和VBES。 1．必须权衡各电学参数间的关系，正确处理各参数间的矛盾。此外要找出器件的主要电学参数，根据主要电学参数指标进行设计，然后再根据生产实践中取得的经验进行适当调整，以满足其它电学参数的要求。 2．任何一个好的设计方案都比须通过合适的工艺才能实现。因此，在设计中必须正确处理设计指标和工艺条件之间的矛盾。设计前必须了解工艺水平和设备精度，结合工艺水平进行合理设计。 3．正确处理技术指标和经济指标间的关系。设计中既要