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第十四章 二极管和晶体管 14.1 半导体的导电特性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 本章作业 回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出 * 回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出 * 回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.2 PN结及其单向导电性 14.1 半导体的导电特性 第十四章 二极管和晶体管 ⒈ 理解PN结的单向导电性； ⒉ 了解二极管、稳压二极管和晶体管的基本构造、工作原理和主要特性曲线，理解主要参数的意义； ⒊ 理解晶体管的电流分配和放大作用。 半导体的导电特性： 掺杂性：在纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能 力增加几十万乃至几百万倍； （可做成各种不同用途的半导体器件，如 二极管、晶体管和晶闸管等）。 光敏性：当受到光照时，导电能力显著增强； （可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光 敏二极管、光敏晶体管等） 热敏性：当环境温度增高时，导电能力显著增强； （可做成各种热敏元件，如热敏电阻） 14.1.1 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 共价健 价电子：共价键中的两个电子。 硅原子 14.1 半导体的导电特性 价电子 硅单晶中的共价健结构 Si Si Si Si 共价键：每一原子的一个价电子与另一原子的一个价电子组成一个电子对。 价电子获得一定能量（温度增高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚（电子受到激发），成为自由电子， 本征半导体的导电机理 空穴 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。 自由电子 14.1 半导体的导电特性 Si Si Si Si 中性的原子显出带正电，同时在共价键中留下一个空位，称为空穴。 在外电场的作用下，有空穴的原子吸引相邻原子中的价电子来填补这个空穴，于是失去一个价电子的相邻原子的共价键中出现另一个空穴，如此继续下去，好似空穴的运动（相当于正电荷的运动）。 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流： ①自由电子作定向运动形成电子电流； ②价电子递补空穴形成空穴电流。 自由电子 空穴 统称载流子 14.1 半导体的导电特性 ①本征半导体中的载流子数目极少，其导电性能很差； ②温度愈高，载流子数目愈多，半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断复合。 在一定的温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，于是半导体中的载流子便维持一定的数目。 14.1 半导体的导电特性 注意 Si Si Si Si 14.1.2 N型半导体和P型半导体 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。 在单晶硅中掺入微量磷元素 多余电子 磷原子 在常温下即可变为自由电子 失去一个电子变为正离子 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素），形成杂质半导体。 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 14.1 半导体的导电特性 P p+ Si Si Si Si 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。 在单晶硅中掺入微量硼元素 在P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 获得一个电子变为负离子 空穴 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 14.1 半导体的导电特性 硼原子 B B– 14.2.1 PN结的形成 浓度差形成多数载流子的扩散运动 内电场 少数载流子的漂移运动 P 型半导体 N 型半导体 内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。 扩散的结果使空间电荷区变宽 空间电荷区也称 PN 结 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的宽度固定不变。 － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － 形成空间电荷区 内电场 P N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + +