第一章晶乐体二极管.pptVIP

课程简介 ??? 电子系统，一个世纪的发展历程。从1897年开始出现的无线电系统理论，以及1904年真空二极管、1906年真空三极管的发明，通信理论与器件的结合，使得无线电通信发生了一场深刻的革命。它导致了连续发射信号和高灵敏度与选择性接收机的产生，各种相应的电子电路、电子系统应运而生。即从1920年的无线电通信，1930年的TV传输，直到1980年的移动电话和1990年的全球定位系统（GPS）。当然，电子系统的改善与通信理论、控制理论、电子器件的不断更新而同步发展。电子器件从真空管到半导体器件、集成电路、超大规模集成电路，由此而产生的电子电路遍及各种电子系统之中，它们起着对信号的放大、形成和处理，支持着各种电子系统正常的运转和工作。而本门课程所研究的是信号在电路中传输与处理的基本理论，以及电子电路的基本电路和这些基本电路的分析方法。因此，《线性电子线路》是通信工程、电子信息与科技、电子信息工程、光信息科学与技术，以及其他电子类学科的一门非常重要的专业基础课程。 第一章 晶体二极管 1.1 半导体物理基础知识 1.2PN结 1.3晶体二极管电路的分析方法 1.4晶体二极管的应用 主要讲述常用半导体器件的工作原理、特性、交/直流与极限参数。要求掌握晶体二极管的基本使用方法。 晶体二极管广泛应用于各种电子设备中，它是一种由PN结构成的电子器件。PN结由P型半导体和N型半导体有机结合而形成的。其中，接到P型半导体的引线称为正极（或阳极）；接到N型半导体的引线称为负极（或阴极）。 ??? 晶体二极管的主要特性是单向导电性 (3)本征激发产生的两种载流子总是成对出现的。实际上，在自由电子空穴对产生过程中还同时存在着复合过程，这就是自由电子在热骚动过程中和空穴相遇而释放能量，造成自由电子—空穴对消失的过程。 理解点： ??????? 1、在0K时，本征半导体中没有载流子，呈绝缘体特性。??????? 2、温度升高→热激发→共价键中价电子进入导带→自由电子+空穴。??????? 3、两种载流子：导带中的自由电子，电荷极性为负；价带中挣脱共价键束缚的价电子所剩下的空穴，电荷极性为正。??????? 4、热激发条件下，只有少数价电子挣脱共价键的束缚，进入导带形成电子空穴对，所以本征半导体导电率很低。 　由于随机热振动导致电子与空穴的移动使共价键被打破而产生“电子-空穴对” 。 1．1．4 小结 ??? 本节从本征半导体共价键结构出发，提出了有关半导体的几个重要结论。 ??? 1．半导体是依靠自由电子和空穴两种载流子导电的。本征激发和复合达到动态平衡时，热平衡载流子浓度随温度升高而迅速增大；??? 2．掺人不同杂质．形成N型和P型两种杂质半导体。其中，N型半导体：多子自由电子，少子空穴，施主杂质正离子。P型半导体：多子空穴，少于自由电子，受主杂质负离子；??? 3．半导体有两种导电方式：电场作用下产生的漂移电流和非平衡载流子浓度差作用下产生的扩散电流。前者与电场强度成正比，比例系数为μ；后者与浓度梯度成正比，比例系数为D。 1．2．1 动态平衡下的PN结 一、阻挡层形成的物理过程 1.2.5 小结 1．阻挡层形成的机理是本节的基础。至重视以下结论：??? （1）两边掺杂浓度越大，内建电位差就越高，阻挡层宽度就越小；??? （2）阻挡层主要是向低掺杂一侧扩展。 ??? 2．PN结是非线性电阻器件，但同时存在着寄生的非线性电容效应。 ??? 3．在理想情况下，PN结具有指数律的伏安特性。见呈现以下特点：??? （1）当V＜VD(on)时，PN结实际截止；??? （2）而当V＞VD(on)时，PN结实际导通；??? （3）V每增大60mv，I 按10的幂次方迅速增大；??? （4）温度每升高10℃，Is增大1倍；??? （5）温度每升高1℃，VD(on)减小2．5mv ??? 4．PN结的击穿有雪崩和齐纳两种击穿。??????? 雪崩击穿电压高，且具有正的温度系数；??????? 齐纳击穿电压低，且具有负的温度系数。??????? 利用击穿制成稳压二极管。 ??? 5．PN结电容由势垒电容和扩散电容组成。??????? 正偏时扩散电容为主；反偏时势垒电容为主。??????? 利用势垒电容制成变容二极管。 限幅电路 ?? 限幅电路又称削波电路，是用来限制输人信号电压范围的电路。 双向限幅特性 稳压管的主要参数 （1）稳定电压 UZ （2）稳定电流 IZ（或IZmin) （3）额定功耗 PZM （4）动态电阻rz IZ 好 要求：rZ 好 注意 稳压管电路中必须要串联限流电阻！ 　晶体二极管的应用 电源设备组成框图：