电力电子技术第一词章-2012.ppt

驱动电路 驱动电路 驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节,一般采用光隔离或磁隔离。 光隔离一般采用光耦合器 磁隔离的元件通常是脉冲变压器 驱动电路 晶闸管触发电路 产生符合要求的门极触发脉冲，保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通。 晶闸管触发电路应满足下列要求： 触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通（IA擎住电流） 触发脉冲应有足够的幅度 不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内 应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离 驱动电路 晶闸管触发电路 V1、V2构成脉冲放大环节，脉冲变压器TM和附属电路构成脉冲输出环节，VD1和R3是为了V1、V2由导通变为截止时脉冲变压器TM释放其储存的能量而设 。 理想的晶闸管触发脉冲电流波形 典型的晶闸管触发电路 驱动电路 电压驱动型器件的驱动电路 栅源间、栅射间有数千皮法的电容，为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小。 使MOSFET开通的驱动电压一般10-15V，使IGBT开通的驱动电压一般15-20V。 关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取-5 ~ -15V）有利于减小关断时间和关断损耗。 在栅极串入一只低值电阻（数十欧左右）可以减小寄生振荡，该电阻阻值随被驱动器件电流额定值的增大而减小。 驱动电路 IGBT驱动电路 多采用专用的混合集成驱动器：三菱公司的M579系列（如M57962L和M57959L）和富士公司的EXB系列（如EXB840、EXB841、EXB850和EXB851）。 M57962L型IGBT驱动器的原理和接线图 驱动电路 IGBT驱动电路 驱动电压的上升率和下降率要充分大，正向驱动电压要保证IGBT不退出饱和，栅射极施加负偏压有利于IGBT快速关断，一般取-10V。 驱动电路与整个控制电路在电位上严格隔离，不同IGBT的驱动信号也要相互隔离，一般采用光电隔离。 应有IGBT完整的保护功能，有很强的抗干扰能力。 栅极配线走向英语主电流尽可能远，同时驱动电路到IGBT模块栅射极引线尽可能短，多采用双绞线或同轴电缆屏蔽线。 缓冲电路 缓冲电路作用 也称为吸收电路，抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 缓冲电路分类： 关断缓冲电路（du/dt抑制电路）——吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗，通常将缓冲电路专指关断缓冲电路； 开通缓冲电路（di/dt抑制电路）——抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗； 将关断缓冲电路和开通缓冲电路结合在一起——复合缓冲电路。 缓冲电路 缓冲电路原理 V开通时，Cs通过Rs向V放电，使iC先上一个台阶，以后因有Li，iC上升速度减慢；V关断时，负载电流通过VDs向Cs分流，减轻了V的负担，抑制了du/dt和过电压。 缓冲电路 缓冲电路注意问题 VDs必须选用快恢复二极管，额定电流不小于主电路器件的1/10。 尽量减小线路电感，且选用内部电感小的吸收电容。 中小容量场合，若线路电感较小，可只在直流侧设一个du/dt抑制电路，对IGBT甚至可以仅并联一个吸收电容。 晶闸管在实用中一般只承受换相过电压，关断时也没有较大的du/dt，一般采用RC吸收电路即可。 本章小结 主要内容 介绍各种主要电力电子器件的基本结构、工作原理、基本特性和主要参数等。 电力电子器件类型归纳 按可控程度： 不控型：二极管；半控型：晶闸管；全控型：GTO、GTR、MOSFET、IGBT 按参与导电载流子 单极型：MOSFET；双极型：电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；复合型：IGBT 按驱动信号 电压型：电力MOSFET、 IGBT；电流型：晶闸管、GTO、GTR 本章小结 各种类型器件特点： 单极型器件：没有少数载流子的注入和存储，开关过程中不存在双极型器件中的两种载流子的复合问题，因而工作频率很高；没有电导调制效应，管压降较高；电流容量小、耐压低。 双极型器件：由于具有电导调制效应，使其导通压降很低，导通损耗较小；容量大；开关频率低。 电流型器件：控制极输入阻抗低，驱动电流和驱动功率较大，电路也比较复杂。 电压型器件：输入阻抗很高，所以驱动功率小，驱动电路简单。 本章小结 器件电压容量水平 器件频率水平 电力二极管：400Hz-200kHz；晶闸管：400Hz-2kHz GTO：1-2kHz；GTR：2k-100kHz MOSFET：100kHz-2MHz；IGBT：2k-150kHz 器件 优点 缺点 应用领域 GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，电流驱动型，需要驱动功率大，存在2次击穿问题 UPS、空调等中小功率中频场合 GTO 电压、电流容量很大，适用于大功率场合，具有