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3-4 高分子材料的物理性能 3-4-1 热性能 一、热导率 ——热扩散速率:对于非金属材料,扩散速率主要取决于邻近原子或分子的结合强度。 ⊕主价键结合:热扩散快→热导率大→热良导体; ⊕次价键结合:导热性差,热导率小。 ——聚合物的导热性 ⊕一般较差(因靠分子间力结合的)。 ⊕固体聚合物的热导率范围较窄(0.22W·m-1·K-1左右)。 ⊕结晶聚合物的热导率稍高,非晶聚合物的热导率随分子量增大而增大。 ⊕低分子的增塑剂的加入:会使热导率下降。 ⊕温度:聚合物热导率随温度的变化有所波动,但波动范围一般不超过10%。 ⊕取向:引起热导率的各向异性,沿取向方向热导率增大,横向减小→聚氯乙烯伸长300%时,轴向的热导率比横向的要大一倍多。 ⊕微孔聚合物:热导率非常低,一般为0.03W·m-1·K-1左右,随密度的下降而减小。 ⊕热导率大致是固体聚合物和发泡气体热导率的平均值。 二、比热容及热膨胀性 ——比热容:主要由高分子材料的化学结构决定,1-3kJ·K-1,比金属及无机材料的大; ——热膨胀性:比金属及陶瓷大,4×10-5~3×10-4K-1。聚合物的膨胀系数随温度的提高而增大,但一般并非温度的线性函数。 3-4-2 电性能 ——概念: 高分子材料的电学性能是指在外加电场作用下材料所表现出来的介电性能、导电性能、电击穿性质以及与其他材料接触、摩擦时所引起的表面静电性质等。 一、电阻率和介电常数 (一)概念 ——体积电阻率:聚合物的体积电阻率常随充电时间的延长而增加。因此,常规定采用1min的体积电阻率数值。在各种电工材料中,聚合物是电阻率非常高的绝缘体(图3-36)。 ——电介质:用来隔开电容器极板的物质; ——介电常数:电容与极板间为真空时的电容之比,为无因次量,数值1-10之间。 ——极化:在外电场作用下,分子中电荷分布的变化称为极化。 ——分子极化种类: ⊕电子极化 ⊕原子极化 ⊕取向极化:由永久偶极所产生,与温度有关;其所产生的偶极矩与绝对温度成反比;所需时间10-9s。 ⊕界面极化:由于电荷在非均匀介质分界面上集聚而产生的;所需时间几分之一秒至几分钟乃至几个小时。 ——高分子材料的介电常数是以上几种因素所产生介电常数分量的总和。 (二)相关数值 ——介电现象产生的原因:分子极化。 ——介电常数数值:非极性聚合物2左右;极性聚合物3-9(见表3-11)。 二、介电损耗 (一)概念 ——介电损耗:电介质在交变电场作用下,由于发热而消耗的能量。 ——产生原因: ⊕因电介质中微量杂质而引起的漏导电流; ⊕电介质在电场中发生极化取向时,由于极化取向与外加电场有相位差而产生的极化电流损耗——主要原因。 ——介电松弛:即聚合物的介电损耗,与力学松弛原理上是一样的。介电松弛是在交变电场刺激下的极化响应,它决定于松弛时间与电场作用时间的相对值。 ——介电损耗峰:当电场频率与某种分子极化运动单元松弛时间的倒数接近或相等时,相位差最大,产生共振吸收峰即介电损耗峰。 ——介电谱:聚合物在不同温度下的介电损耗叫介电谱。 非极性聚合物:极性杂质常常是介电损耗的主要原因。非极性聚合物的tgδ一般小于10-4; 极性聚合物:tgδ在10-1~5×10-3之间。 三、介电强度 ——电击穿:当电场强度超过某一临界值时,电介质就丧失其绝缘性能,这称为电击穿。 ——击穿电压:发生电击穿的电压。 ——击穿电场强度:击穿电压与击穿处介质厚度之比,简称介电强度。 ——热击穿:在强电场下,因温度上升导致聚合物的热破坏而引起的击穿;其击穿电压要比固有击穿电压小。 ——纯电击穿(固有击穿):当电场强度增加到临界值时,撞击分子发生电离,使聚合物击穿,称为纯电击穿或固有击穿;此击穿过程极为迅速,击穿电压与温度无关。 ——聚合物介电强度:可达1000 MV/m。 ——决定因素:上限是由共价键电离能所决定的。 四、静电现象 ——静电现象:两种物体互相接触和摩擦时会有电子的转移而使一个物体带正电,另一个带负电的现象。 ——聚合物静电的产生:高电阻率使其有可能积累大量静电荷→例如聚丙烯腈纤维因摩擦可产生高达1500v的静电压。 ——规律:一般介电常数大的聚合物带正电,小的带负电,如—— ——当上述序列中的两种物质进行相互摩擦时,总是左边的带正电,二者相距越远产生的电量越多。 ——消除方法: ⊕体积传导 ⊕表面传导:主要方法,目前工业上广泛采用的抗静电剂都是用以提高聚合物的表面导电性 ——抗静电剂:一般都具有表面活性的功能,常增加聚合物的吸湿性而提高表面导电性,从而消除静电现象的一种物质。 五、聚合物驻极体和热释电流 ——驻极体:将聚合物薄膜夹在两个电极当中,加热到薄膜成型温度,施加每厘米数千伏的电场,使聚合物极化、取向,再冷却至室温,而后撤去电场。这时由于聚合物的
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